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Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥869税込￥956
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥1,998～税込￥2,198～
1袋(10個)ほか
当日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(100)
Toshiba Pチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
当日出荷
実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(12)
Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(100個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 15 A， 8 ピンパッケージSOP TPC シリーズ
東芝
￥349税込￥384
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOSFET
東芝
￥779税込￥857
1個
3日以内出荷
用途DC/DCコンバータモーター駆動備考4V駆動電流(A)ID:60電圧(V)VDSS:60入力容量Ciss：5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)電力(W)Pc(Tc=25℃):150構造Nch-MOS速度Yfs:40s抵抗(MΩ)RDS:15(Vgs=4V Id=30A)入数1個RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P(N)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 263 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET
東芝
￥1,898税込￥2,088
1袋(100個)
7日以内出荷
チャンネルタイプN実装タイプ表面実装ピン数(ピン)6チャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(6)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピンパッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ
東芝
￥539税込￥593
1袋(10個)
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥649税込￥714
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥3,798税込￥4,178
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 43 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
￥979税込￥1,077
1袋(5個)
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 53 W標準ターンオン遅延時間 = 21 nsMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥5,198税込￥5,718
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 15.8 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 120 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥1,098税込￥1,208
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥1,498税込￥1,648
1袋(150個)
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(30)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,498税込￥1,648
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージTO-3P TK シリーズ
東芝
￥519税込￥571
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥3,998税込￥4,398
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥879税込￥967
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ
東芝
￥4,898税込￥5,388
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
￥1,198税込￥1,318
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 2 A， 3 ピンパッケージPW成形 TK シリーズ
東芝
￥199税込￥219
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥829税込￥912
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥4,198税込￥4,618
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,298税込￥2,528
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥429税込￥472
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 62 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥639税込￥703
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

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