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  • Toshiba Pチャンネル MOSFET 東芝

    Toshiba Pチャンネル MOSFET

    東芝(1件のレビュー)
    ¥1,898~税込¥2,088~
    1袋(5個)ほか
    当日出荷
    実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET

    東芝(1件のレビュー)
    ¥539~税込¥593~
    1個ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
    チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET

    東芝
    ¥669~税込¥736~
    1個ほか
    当日出荷から7日以内出荷
    チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
  • パワーMOSFET 東芝

    パワーMOSFET

    東芝
    ¥779税込¥857
    1個
    3日以内出荷
    用途DC/DCコンバータモーター駆動備考4V駆動電流(A)ID:60電圧(V)VDSS:60入力容量Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)電力(W)Pc(Tc=25℃):150構造Nch-MOS速度Yfs:40s抵抗(MΩ)RDS:15(Vgs=4V Id=30A)入数1個RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P(N)
  • Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4 東芝

    Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4

    東芝
    ¥1,598税込¥1,758
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm高さ = 3.65mm光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力 東芝

    Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力

    東芝
    ¥2,998税込¥3,298
    1袋(5個)
    当日出荷
    シリーズTLP241Aチャンネル数1ピン数(ピン)4パッケージDIP電流の種類(入力)DC実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)30絶縁電圧(Vrms)5000
  • Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET 東芝

    Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET

    東芝
    ¥1,498税込¥1,648
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ

    東芝
    ¥2,998税込¥3,298
    1個
    欠品中
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba (東芝) フォトリレー, MOSFET出力 東芝

    Toshiba (東芝) フォトリレー, MOSFET出力

    東芝
    ¥3,398税込¥3,738
    1個
    翌々日出荷
    電流の種類(入力)DC出力デバイスMOSFET
  • Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4 東芝

    Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4

    東芝
    ¥1,398税込¥1,538
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 16 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm特殊機能 = 高電流光リレー光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
  • Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP6 東芝

    Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP6

    東芝
    ¥1,498税込¥1,648
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 7.12 x 6.4 x 3.65mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ

    東芝
    ¥3,798税込¥4,178
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    ¥649税込¥714
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ

    東芝(1件のレビュー)
    ¥2,398税込¥2,638
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    ¥2,898税込¥3,188
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    ¥5,198税込¥5,718
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ

    東芝
    ¥1,598税込¥1,758
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Photocoupler, MOSFET, 1a, 4pin SO6 東芝

    Photocoupler, MOSFET, 1a, 4pin SO6

    東芝
    ¥2,798税込¥3,078
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SO6最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 3.7 x 4.55 x 2.1mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ

    東芝
    ¥2,198税込¥2,418
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 9.3 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 9.3 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    ¥1,998税込¥2,198
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Photocoupler, MOSFET, 1a, 4pin SO6 東芝

    Photocoupler, MOSFET, 1a, 4pin SO6

    東芝
    ¥2,998税込¥3,298
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SO6最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 3.7 x 4.55 x 2.1mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝接点構成1aRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET 東芝

    Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET

    東芝
    ¥1,898税込¥2,088
    1袋(100個)
    7日以内出荷
    ピン数(ピン)6実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
  • Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 2 A, 6 ピン パッケージUF 東芝

    Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 2 A, 6 ピン パッケージUF

    東芝
    ¥819税込¥901
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Pチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK 東芝

    Toshiba Pチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK

    東芝
    ¥1,398税込¥1,538
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
  • フォトリレー Toshiba (東芝) TLP3100(TP,F), MOSFET出力 東芝

    フォトリレー Toshiba (東芝) TLP3100(TP,F), MOSFET出力

    東芝
    ¥479税込¥527
    1個
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET絶縁電圧 = 1500 V ac光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin 東芝

    フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin

    東芝(1件のレビュー)
    ¥799税込¥879
    1袋(2個)
    当日出荷
    仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • フォトリレー Toshiba (東芝) TLP170A(F), MOSFET出力 東芝

    フォトリレー Toshiba (東芝) TLP170A(F), MOSFET出力

    東芝
    ¥579税込¥637
    1個
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET絶縁電圧 = 1500 V ac光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 東芝

    Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    東芝
    ¥1,498税込¥1,648
    1袋(100個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 10 A, 8 ピン パッケージSOP 東芝

    Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 10 A, 8 ピン パッケージSOP

    東芝
    ¥1,198税込¥1,318
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2580 pF @ -10 VMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)

    東芝
    ¥1,498税込¥1,648
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 16 A, 8 ピン パッケージSOP 東芝

    Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 16 A, 8 ピン パッケージSOP

    東芝
    ¥399税込¥439
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    ¥869税込¥956
    1袋(5個)
    欠品中
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 9 A, 8 ピン パッケージSOIC 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 9 A, 8 ピン パッケージSOIC

    東芝
    ¥529税込¥582
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 250 V, 7.5 A, 3 ピン パッケージSC-67 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 250 V, 7.5 A, 3 ピン パッケージSC-67

    東芝
    ¥1,198税込¥1,318
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオン遅延時間 = 32 nsMOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージSOT-23F 東芝

    Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージSOT-23F

    東芝
    ¥979税込¥1,077
    1袋(30個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 3 A, 3 ピン パッケージUFM 東芝

    Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 3 A, 3 ピン パッケージUFM

    東芝
    ¥749税込¥824
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 260 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • フォトリレー Toshiba (東芝) TLP175A AC入力, MOSFET出力, 4-Pin 東芝

    フォトリレー Toshiba (東芝) TLP175A AC入力, MOSFET出力, 4-Pin

    東芝
    ¥1,998税込¥2,198
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 1ms最大入力電流 = 80 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms標準降下時間 = 1ms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN

    東芝(1件のレビュー)
    ¥3,698税込¥4,068
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ

    東芝
    ¥839税込¥923
    1個
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 31 A, 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 31 A, 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ

    東芝
    ¥419税込¥461
    1袋(20個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 19 W動作温度 Max = +150 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
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