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SSM3J36FS(TE85L，F) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥199 税込￥219
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SSM3K16FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥279 税込￥307
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SSM3K15F(F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥209 税込￥230
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SSM3K17FU(F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 50 V， 100 mA， 3 ピン パッケージUSM 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 50 V， 100 mA， 3 ピン パッケージUSM
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -7 V， +7 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥699 税込￥769
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SSM3K7002FU(F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピン パッケージUSM 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピン パッケージUSM
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥529 税込￥582
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SSM3K36FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥349 税込￥384
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3SK291(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル 高周波 MOSFET， 12.5 V， 30 mA， 4 ピン パッケージSMQ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 高周波 MOSFET， 12.5 V， 30 mA， 4 ピン パッケージSMQ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 12.5 V最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SMQ実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4チャンネルモード = デプレッション型カテゴリー = RF MOSFET最大パワー消費 = 150 mW動作温度 Max = +125 ℃RF MOSFETトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥769 税込￥846
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SSM3J120TU(TE85L) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥689 税込￥758
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2SK1829(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 50 mA， 3 ピン パッケージUSM 2SK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 50 mA， 3 ピン パッケージUSM 2SK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥269 税込￥296
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SSM3K15FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥209 税込￥230
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SSM3K36TU(TE85L) Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥349 税込￥384
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SSM3J36TU(TE85L) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥189 税込￥208
翌々日出荷
SSM3J117TU(TE85L) Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥669 税込￥736
欠品中
SSM3K116TU(TE85L) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥449 税込￥494
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SSM6P54TU(TE85L，F) Toshiba デュアル Pチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 1.2 A， 6 ピン パッケージUF SSM6 シリーズ 東芝
東芝Toshiba デュアル Pチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 1.2 A， 6 ピン パッケージUF SSM6 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 228 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 331 pF @ 10 VデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥999 税込￥1,099
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