「sc3n」の検索結果

関連キーワード

8件中 1～8件

商品の詳細情報を参照する場合は
詳細表示が便利です

並び替え

おすすめ順

単価の安い順

単価の高い順

レビュー評価の高い順

レビューの多い順

Toshiba Nチャンネル IGBT， 1200 V， 40 A， 3-Pin SC-65 シングル東芝(1件のレビュー)

1個

取扱停止中

仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = SC-65実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.2μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 20mm幅 = 15.5mm高さ = 4.5mm寸法 = 20 x 15.5 x 4.5mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 10 A， 3 ピンパッケージSC-67東芝

1袋(5個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 250 V， 7.5 A， 3 ピンパッケージSC-67東芝

1袋(5個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオン遅延時間 = 32 nsMOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 900 V， 3 A， 3 ピンパッケージSC-67 2SK シリーズ東芝

1袋(5個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピンパッケージSOT-416 (SC-75)東芝

1袋(100個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルカテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSOT-323 (SC-70)東芝

1袋(25個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝

1袋(10個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 200 mA， 3 ピンパッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ東芝

1袋(10個)

取扱停止中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応