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実装タイプスルーホール実装 出力デバイスMOSFET 最大順方向電圧(V)1.4 チャンネル数1 ピン数(ピン)4 パッケージDIP 電流の種類(入力)DC 最大入力電流(mA)30 シリーズTLP241A 絶縁電圧(Vrms)5000
1袋(5個)ほか
1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
699 税込769
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1袋(5個)ほか
1,598 税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,798 税込3,078
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
919 税込1,011
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 34 W順方向ダイオード電圧 = 1.2VMOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,498 税込1,648
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仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP 最大パワー消費(W)1.9 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧(V)2 カテゴリーパワーMOSFET
1袋(5個)ほか
1,298 税込1,428
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589 税込648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
899 税込989
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET絶縁電圧 = 1500 V ac光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
539 税込593
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
739 税込813
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
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東芝フォトリレー(MOSFET出力)
仕様●実装タイプ:表面実装●出力デバイス:MOSFET●絶縁電圧:1500 V ac アズワン品番65-7263-13
1個
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
389 税込428
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仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
579 税込637
翌々日出荷

東芝フォトリレー( MOSFET 出力)
仕様●実装タイプ:スルーホール実装●出力デバイス:フォトIC●最大順方向電圧:1.7V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:DIP●標準上昇時間:50ns●最大入力電流:2 mA●絶縁電圧:3750 Vrms●標準降下時間:50ns●シリーズ:TLP 351●特殊機能:高ゲイン集積回路に光結合したGaAlAs赤外線発光ダイオード(LED)●コード番号:885-1247 アズワン品番65-7256-20
1袋(10個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷

東芝フォトリレー( MOSFET 出力)
仕様●実装タイプ:スルーホール実装●出力デバイス:フォトIC●最大順方向電圧:1.7V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:DIP●標準上昇時間:50ns●最大入力電流:2 mA●絶縁電圧:3750 Vrms●論理出力:あり●標準降下時間:50ns●シリーズ:TLP 351H アズワン品番65-7256-87
1袋(10個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,998 税込3,298
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W寸法 = 5 x 5 x 0.95mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
289 税込318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,298 税込1,428
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,798 税込1,978
翌々日出荷

東芝フォトカプラIGBT/MOSFETゲートドライブ
仕様●実装タイプ:表面実装●出力デバイス:IC●最大順方向電圧:1.7V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC●標準上昇時間:50ns●最大入力電流:20 mA●絶縁電圧:3750 V ac●論理出力:あり●標準降下時間:50ns アズワン品番65-7252-73
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
549 税込604
当日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
919 税込1,011
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
909 税込1,000
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東芝 フォトカプラ IGBT / MOSFETゲートドライブ
仕様●実装タイプ:表面実装●出力デバイス:IGBTゲートドライブ、MOSFET●最大順方向電圧:1.8V●チャンネル数:2●ピン数:8●パッケージタイプ:PDIP●入力電流タイプ:DC●標準上昇時間:15ns●最大入力電流:20 mA●絶縁電圧:3750 V ac●標準降下時間:8ns●コード番号:760-3221 アズワン品番65-7262-73
1個
699 税込769
7日以内出荷

東芝 フォトカプラ IGBT / MOSFETゲートドライブ
仕様●実装タイプ:表面実装●最大順方向電圧:1.8V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:SMD●入力電流タイプ:DC●絶縁電圧:2.5 kVrms●論理出力:あり アズワン品番65-7250-99
1個
729 税込802
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
669 税込736
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
4,398 税込4,838
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
当日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

Toshiba TLP3556A フォトリレーは、赤外線 LED に光学的に結合されたフォト MOSFET で構成されています。 主に HVAC、機械式リレーの交換、ATE に使用されます。電源ライン制御絶縁電圧: 2500 Vrms
仕様●入数:1リール(1500個入り)●実装タイプ:表面実装●出力デバイス:MOSFET●最大順方向電圧:1.8V●チャンネル数:1●ピン数:4●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC●コード番号:206-9773 アズワン品番65-7253-36
1セット(1500個)
999,800 税込1,099,780
欠品中

Toshiba TLP3553A フォトリレーは、赤外線 LED に光学的に結合されたフォト MOSFET で構成されています。 主に HVAC、機械式リレーの交換、ATE に使用されます。電源ライン制御絶縁電圧: 2500 Vrms
仕様●実装タイプ:スルーホール実装●出力デバイス:MOSFET●最大順方向電圧:1.8V●チャンネル数:1●ピン数:4●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC アズワン品番65-7236-87
1袋(5個)
5,998 税込6,598
欠品中

Toshiba TLP3555A フォトリレーは、赤外線 LED に光学的に結合されたフォト MOSFET で構成されています。 主に HVAC、機械式リレーの交換、ATE に使用されます。電源ライン制御絶縁電圧: 2500 Vrms
仕様●入数:1リール(1500個入り)●実装タイプ:表面実装●出力デバイス:MOSFET●最大順方向電圧:1.8V●チャンネル数:1●ピン数:4●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC●コード番号:206-9771 アズワン品番65-7237-80
1セット(1500個)
999,800 税込1,099,780
欠品中

1個ほか
549 税込604
翌々日出荷から5日以内出荷
バリエーション一覧へ (30種類の商品があります)

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