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RoHS10物質対応(7)
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Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥829税込￥912
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 12.6 V 固定出力， 3-Pin HSOP東芝￥519税込￥571
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 12.6 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = HSOP出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 19 V入力電圧 Max = 33 Vピン数 = 3動作温度 Min = -30 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 8mAリニア電圧レギュレータ、東芝. 業界標準パッケージ電圧レギュレータIC 熱保護 / 短絡保護RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥559税込￥615
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ東芝￥999税込￥1,099
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仕様汎用NPNトランジスタ、東芝幅(mm)5.5ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大パワー消費(W)10最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)3トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)150
Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,698税込￥1,868
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥289税込￥318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
