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Toshiba PNP トランジスタ東芝￥5,298税込￥5,828
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トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3 V 固定出力， 3.2～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝￥399税込￥439
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ東芝￥1,498税込￥1,648
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実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥139税込￥153
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ東芝￥29税込￥32
1個
5日以内出荷
仕様●パッケージ：USM●Vceo：12V●Ic：30mA●Pc(Ta=25℃)：100mW●hFE：35～130●fT(typ)：4●コンプリメンタリ：2SC4247アズワン品番67-0400-65
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS東芝￥799税込￥879
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 5-Pin SMV東芝￥889税込￥978
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥519税込￥571
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝￥879税込￥967
1袋(25個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥1,998税込￥2,198
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝， ショットキーバリアダイオード， 絶縁型， 300mA， 45V， 6-Pin SOT-363 (SC-88)東芝￥799税込￥879
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翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = 絶縁型1チップ当たりのエレメント数 = 3ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 6長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A小信号ショットキーバリアダイオード、HN2Sシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥289税込￥318
1袋(10個)
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba コンパレータ， 3～5 V， プッシュープル出力， 5-Pin SSOP東芝￥349税込￥384
1袋(5個)
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仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.06μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準電圧ゲイン = 94 dBコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピン パッケージUF東芝￥719税込￥791
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翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 1.2 A， 5-Pin SMV東芝￥239税込￥263
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 850 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3 V 固定出力， 3.2～15 V入力， 5-Pin UFV東芝￥739税込￥813
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wイネーブル = ありLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 74 CMOSシリーズ フリップフロップIC 2～6 V， 8-Pin SSOP東芝￥599税込￥659
1袋(10個)
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仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷 対称型出力ドライブ容量 広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード， 5-Pin ESV東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
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仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 1μAESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥779税込￥857
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba ロジックゲート， -24mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin SON 2-入力東芝￥369税込￥406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SONピン数 = 5入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = +24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.9ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = -24mA出力タイプ = CMOSTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3.3 V 固定出力， 3.5～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝￥419税込￥461
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.5 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38Wイネーブル = ありポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 3 A， 3 ピン パッケージUFM東芝￥659税込￥725
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 260 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝， 整流ダイオード， コモンアノードペア+コモンカソードペア， 300mA， 85V， 6-Pin東芝￥1,098税込￥1,208
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノードペア+コモンカソードペア整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝， 整流ダイオード， 1A， 30V， 2-Pin S-FLAT東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LMOSシリーズ インバータ(NOTゲート)， 8mA， 4.5～5.5 V， 5-Pin SSOP東芝￥279税込￥307
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.6 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 4.5 VTC7SETシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba コンパレータ， 3～5V， プッシュープル出力， 5-Pin SSOP東芝￥419税込￥461
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = デュアル， シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.011μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準デュアル供給電圧 = ±3Vコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥789税込￥868
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥259税込￥285
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 20 V， 1.5 A， 3-Pin TSM東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード， 5-Pin USV東芝￥439税込￥483
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = USVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 1.25mmESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba L-MOS VHSシリーズ シュミットバッファ， 2～5.5 V， 5-Pin SSOP東芝￥599税込￥659
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = L-MOS VHSロジック機能 = シュミット トリガーバッファー1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シュミット バス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = +25mA低レベル出力電流 Max = -25mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18.5ns寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃TC7SHシリーズSMVパッケージ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 2.5 V 固定出力， 2.7～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝￥979税込￥1,077
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 2.5 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.7 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 1.8 V 固定出力， 2.4～15 V入力， 5-Pin UFV東芝￥429税込￥472
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 1.8 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.4 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wロードレギュレーション = 75 mVLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥379税込￥417
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 4 V 固定出力， 4.2～15 V入力， 5-Pin UFV東芝￥969税込￥1,066
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 4 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45W長さ = 2mmLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
表面実装LDOレギュレータ(1.5V)東芝￥56税込￥62
1個
3日以内出荷
TAR5SxxUシリーズは、オン/オフ制御ピン付きの汎用バイポーラLDOレギュレータで構成されており、過熱保護回路と過電流保護回路を内蔵しています。
スタンバイ電流が低い
過熱および過電流保護回路を内蔵
動作電圧範囲が広い
最大出力電流が大きい
入出力電圧差が小さい
小型パッケージ(SOT-353と同様のUFVパッケージ)
入力/出力コンデンサにセラミックコンデンサを使用できます。
出力電圧(V)1.56(max)出力電流(mA)(Iout)200(x)保存温度範囲(℃)-55～+150消費電力(mW)45RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-40～+85供給電圧(V)15(max)
