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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝
689税込758
1袋(5個)
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ東芝
1,498税込1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ東芝
459税込505
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
719税込791
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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