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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
759税込835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
629税込692
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 263 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 263 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
2,398税込2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ東芝
959税込1,055
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
N-ch MOSFET 東芝N-ch MOSFET東芝
119税込131
1個
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