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Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピンパッケージSOP東芝

￥769税込￥846

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2580 pF @ -10 VMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 13 A， 8 ピンパッケージSOIC東芝

￥389税込￥428

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NチャンネルパワーMOSFET東芝

￥419税込￥461

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOP実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲートしきい値電圧(V)2.3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET

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Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 9 A， 8 ピンパッケージSOIC東芝

￥739税込￥813

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応