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PV シリーズプラスチック密閉型バリスタは、低 / 中電圧領域の電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装用に設計され、リード付きディスクバリスタの 5 及び 7 mm サイズに直接 SMD 同等品を提供します。熱可塑樹脂封入は不燃性で、UL94 V-0 等級です。コンタクトはスズめっき銅シート製です。この過渡電圧サプレッサは、動作電

ハイブリッド設計 低漏洩 双方向保護

ハイブリッド設計 低漏洩 双方向保護

ハイブリッド設計 低漏洩 双方向保護

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns DV シリーズ中電圧バリスタは、中電圧領域の高電圧サージから電子機器を保護するように設計されています。表面実装向けに設計されており、エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収に優れています。他の Bourns の中電圧 SMD バリスタと比較して、DV シリーズバリスタは非常に低プロファイルです。この過渡電圧サプレッサは、

Bourns Electronics 低電圧バリスタは、低電圧領域の高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収性に優れています。3 → 170 V dc の動作範囲で動作します。短い応答時間 最高動作温度： +125 ℃ しきい値電圧温度係数は +0.05 %/ ℃ 未満

Bourns ZVHT シリーズ低電圧多層バリスタ( 390 pF )は、壊れやすい電子機器を低電圧域の高電圧サージから保護するように設計幅広い電流及びエネルギー処理能力 短い応答時間 低感度 RoHS対応(2022年10月現在)

Bourns ZVHT シリーズ低電圧多層バリスタ( 330 pF 静電容量)は、高電圧領域での高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。幅広い電流及びエネルギー処理能力 短い応答時間 低感度 RoHS対応(2022年10月現在)

Bourns Electronics 低電圧バリスタは、低電圧領域の高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収性に優れています。3 → 170 V dc の動作範囲で動作します。短い応答時間 最高動作温度： +125 ℃ しきい値電圧温度係数は +0.05 %/ ℃ 未満

Bourns Electronics 低電圧バリスタは、低電圧領域の高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収性に優れています。3 → 170 V dc の動作範囲で動作します。短い応答時間 最高動作温度： +125 ℃ しきい値電圧温度係数は +0.05 %/ ℃ 未満

Bourns 金属ホイル抵抗器は、熱伝導性に優れたセラミック基板に金属ホイル抵抗素子が取り付けられた構造です。この電流検出抵抗器の金属ホイル抵抗素子は、非常に低いインダクタンス、低ノイズ、及び優れた信頼性を実現します。最大 36 W の常時電力 高パルス定格電力 最大締め付けトルク： 10 Nm スズめっき端子 カスタマイズバージョンも用意しています

Bourns SRF4530A シリーズコモンモードチップインダクタは、インダクタンスが 100 kHz で 200 μ H です。このインダクタのフェライトコアとエナメル銅線は、Au Terminal 仕上げです。定格電圧は 50 V dc、絶縁抵抗は 10 M Ω です。シールド構造 - 低放射 バイファイラ巻き 高温 ハロゲンフリー

Bourns SRF4530A シリーズコモンモードチップインダクタは、100 μ H のインダクタンス @ 100 kHz を備えています。このインダクタのフェライトコアとエナメル銅線は、Au Terminal 仕上げです。定格電圧は 50 V dc、絶縁抵抗は 10 M Ω です。シールド構造 - 低放射 バイファイラ巻き 高温 ハロゲンフリー

Bourns SRF4530A シリーズコモンモードチップインダクタは、51 μ H のインダクタンス @ 100 kHz を備えています。このインダクタのフェライトコアとエナメル銅線は、Au Terminal 仕上げです。定格電圧は 50 V dc、絶縁抵抗は 10 M Ω です。シールド構造 - 低放射 バイファイラ巻き 高温 ハロゲンフリー