制御機器/はんだ・静電気対策用品 ：「WT」の検索結果

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523F最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523Fピン数 = 2mV最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmパワー消費 = 200mWON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmNPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SC-70 / SOT-323 表面実装パッケージ