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I/Oソリッドステート・リレー G3TAomron(オムロン)(1件のレビュー)当日出荷から59日以内出荷
オムロン形G7TC I/Oリレーターミナルに搭載できるI/Oソリッドステート・リレー入力モジュールと出力モジュールを入出力マルチタイプで品揃え。形P7TF I/Oターミナルに使用可能。形G7T I/Oリレーとの混載も可能。動作表示灯によりSSRの動作確認が可能。
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)耐衝撃(m/s2)1000耐振動10~55~10Hz、片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)耐電圧(V/min)入出力間:AC4000 50/60Hz 1min
パワーMOS FETリレー G3RZomron(オムロン)(1件のレビュー)当日出荷
形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。
AC/DC両用、1A負荷開閉可能。
AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。
出力間開路時漏れ電流10μA以下。
入出力間耐電圧AC2500V。
入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。
AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。
RoHS適合。
質量(g)約20負荷電圧(V)AC3~264、DC3~125出力の適合負荷1.0A AC5~240V、DC5~100V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30~+85(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子使用周囲湿度45~85%RH定格負荷電圧(V)DC5~100 AC5~240保存温度範囲(℃)-30~+100(ただし、氷結および結露しないこと)漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10~55~10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)出力オン抵抗(Ω)2.4以下負荷電流(A)100μA~1Aサージオン電流耐量(A)10(10ms)RoHS指令(10物質対応)対応耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状ゼロクロス機能無
ソリッドステート・リレー G3Homron(オムロン)当日出荷から31日以内出荷
形LY(1極、2極タイプ)と同一サイズのソケットタイプ。
動作表示灯により入力の確認が可能。(Nタイプ)
スリムI/Oソリッドステート・リレー G3RV-SR500omron(オムロン)当日出荷
幅6.2mm低背タイプでスリム化実現。
プッシュインPlus端子台タイプ。
スリムソリッドステートリレーとソケット一体型。
前面配線で取付しやすい。
直流負荷用。
質量(g)約38保護構造(IEC60529による)IP20定格絶縁電圧(V)240絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vにて)使用周囲温度(℃)保管時:-30~+100(ただし、氷結および結露しないこと) 使用時:-30~+55(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プッシュインPlus端子使用周囲湿度45~85%RH動作表示灯あり復帰電圧1V以上定格インパルス耐電圧(kV)4.0/Ⅲ汚染度(使用環境)2耐衝撃(m/s2)300耐振動10~55~10Hz 複振幅0.70mm復帰時間(ms)60以下サージオン電流耐量(A)30(60Hz、1サイクル)プロファイル(過負荷電流)1.5Ie 1.1Ue 5s ON、10s OFF、10サイクル耐電圧(V/min)入出力間 AC2500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状
電圧検出ユニットG32A-Comron(オムロン)当日出荷
仕様●定格入力電流:形G3PA/1台8mA以下(DC24V印加時)、形G3PA/2台14mA以下(DC24V印加時)品名電圧検出ユニット出力電圧(V)DC12±15%定格入力電圧(V)DC12 DC24入力電圧(V)DC10.2~30動作時間1ms以下復帰時間1ms以下復帰電圧5V以上振動10~55~10Hz/片振幅0.375mm(複振幅0.75mm)(ねじ取りつけ)衝撃(耐久)(m/s2)300動作電圧(V)9.6V±10%
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