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仕様最大周波数：27MHz 、 最大デューティサイクル：55% 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：QFN 、 ピン数：20 、 寸法：4 x 4 x 0.85mm 、 高さ：0.85mm 、 長さ：4mm 、 動作供給電圧 Max：2.75 V 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 動作供給電圧 Min：2.25 V 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 幅：4mm 、 Si535xクロック発生器、Silicon Labs. Silicon Labs Si535xファクトリ及びI2CプログラマブルLVCMOSクロック発生器は、複数の独立した非整数関係周波数を生成します。 これらの製品は0 ppmの誤差、低ジッター、低消費電力を特長とし、8つのPLLと同等の周波数を小型サイズのパッケージで合成できます。 出荷時のカスタマイズオプションでEMIを低減できます。これらのオプションには、構成可能なエッジレート、出力インピーダンス、出力スキュー、拡散スペクトルが含まれています。 家庭用オーディオ / ビデオ、組み込みアプリケーション、すべてのシステムクロック要件をデバイス1つに統合するのに適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ドライバ数：1動作供給電圧 Min：5 V動作供給電圧 Max：30 Vトポロジー：絶縁ゲートドライバ実装タイプ：表面実装ピーク出力電流：4A出力数：1極性：非反転パッケージタイプ：SDIPピン数：6寸法：4.58 x 11.5 x 2.05mmSi826xシリーズの絶縁ゲートドライバ、Silicon Laboratories. Silicon Labs Si826xシリーズのISOdriverを使用すれば、一般的なゲート駆動オプトカプラ向けにピン互換のあるドロップインアップグレードが可能です。 これらのデバイスは、幅広いインバータ制御やモータ制御の用途に使用される電源MOSFET及びIGBTの駆動に最適です。 Si826x絶縁ゲートドライバには、Silicon Labs独自のシリコン絶縁テクノロジーが使用されており、最大5.0 kV RMSをサポートしています。 このテクノロジーによって高性能が実現し、温度や使用年数による変動が削減され、部品間の結合がタイトになり、オプトドライバに比べてコモンモード除去比が向上します。
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様1チップ当たりのエレメント数：1最大供給電流：150 mA最大入力周波数：750MHz実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：QFNピン数：64寸法：9 x 9 x 0.85mm長さ：9mm幅：9mm高さ：0.85mm動作供給電圧 Max：3.47 V動作温度 Max： +85 ℃最大出力周波数：712.5MHz動作供給電圧 Min：3.14 V最小出力周波数：0.0001MHzSi5340 Si5341 - クロック発生器. Silicon Labs Si5340 / Si5431の全周波数、全出力クロック発生器は、ワイドバンドPLLとMultiSynthフラクショナルシンセサイザを組み合わせています。 幅広い整数倍及び非整数倍の周波数を合成します。 各クロック出力に独自のフォーマットと出力電圧を割り当てることが可能で、複数のクロックICとオシロスコープをこの製品で置き換えることができます。このため、精密なクロックツリーオンチップが実現します。 Si5340: 44ピンQFNパッケージ(7 x 7 mm)に4つの入力、4つの出力を搭載 Si5341: 64ピンQFNパッケージ(9 x 9 mm)に4つの入力、10個の出力を搭載. - 最高10個の独立した出力クロックを生成 - 超低ジッタ - 100 fs RMS未満(標準) - LVDS、LVPECL、CML、LVCMOS、HCSL又はプログラマブル電圧と互換性のある出力を構成可能 - 入力周波数範囲: - 外部水晶: 25、48-54 MHz - 差動クロック: 10 → 750 MHz - LVCMOSクロック: 10 → 250 MHz - 出力周波数範囲: - 差動: 100 Hz → 712.5 MHz - LVCMOS: 100 Hz → 250 MHz
RoHS指令(10物質対応)対応
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