STMicroのディスクリート

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 45ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 27.2V。最小ブレークダウン電圧 14.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 12.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 147A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 265V。最小ブレークダウン電圧 143V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 128V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 15A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 60 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V。最大パワー消費 = 220 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。動作温度 Max = +150 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics