長さ(mm)10.3幅(mm)5.3高さ(mm)1.5寸法10.3 x 5.3 x 1.5mmピン数(ピン)16論理HCRoHS指令(10物質対応)対応最小パルス幅13 nsパッケージSOP実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2静止電流(mA)0.004低レベル出力電流(mA)【最大】5.2高レベル出力電流(mA)【最大】-5.2最大伝播遅延時間@最大CL250 ns @ 2 Vロジック機能モノステーブルマルチバイブレータ
幅(mm)6.4寸法19.25 x 6.4 x 3.5mmピン数(ピン)14論理HCRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール動作供給電圧(V)【最大】61チップ当たりのエレメント数6低レベル出力電流(mA)【最大】5.2最大伝播遅延時間@最大CL15nsロジック機能バッファ出力タイプオープンドレイン
寸法13.3 x 5.3 x 1.5mmピン数(ピン)20極性非反転回路数8使用条件【伝播遅延テスト】150pF論理74HCRoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOP実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最大】6低レベル出力電流(mA)【最大】-35高レベル出力電流(mA)【最大】35最大伝播遅延時間@最大CL165nsロジック機能バッファ出力タイプ3ステート
寸法24.6 x 6.4 x 3.5mm入力シングルエンドピン数(ピン)20極性反転回路数8使用条件【伝播遅延テスト】150pF論理HCRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール動作供給電圧(V)【最小】2低レベル出力電流(mA)【最大】7.8高レベル出力電流(mA)【最大】-7.8最大伝播遅延時間@最大CL130 ns @ 2 Vロジック機能バッファ, ラインドライバ出力タイプ3ステート
寸法26 x 20.5 x 5.2mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3PL実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-230最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)230トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-15トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン55最大動作周波数(MHz)30最大パワー消費180 W
寸法15.9 x 4.8 x 20mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)30最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード1MHz最大パワー消費170 W最大動作温度(℃)150