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Infineon 整流ダイオード， 3A， 10V 表面実装， 2-Pin SOD-323 ショットキーバリア 370mVINFINEON￥949税込￥1,044
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 10Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、InfineonRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥409税込￥450
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 110 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥189税込￥208
1個
5日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 210 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥169税込￥186
1個
9日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 43 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,398税込￥2,638
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NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥399税込￥439
1袋(5個)
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 540 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 2.6 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Audio Amplifier Driver Class-D 1A SOIC16INFINEON￥2,698税込￥2,968
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様オーディオアンプRoHS指令(10物質対応)対応
不揮発性メモリ(NVRAM) InfineonINFINEON￥6,598税込￥7,258
1個
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ：4Mbit●構成：512 K x 8ビット●インターフェースタイプ：パラレル●データバス幅：8bit●最大ランダムアクセス時間：45ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSOP●ピン数：44●寸法：18.51 x 10.26 x 1.04mm●長さ：18.51mm●幅：10.26mm●高さ：1.04mm●動作供給電圧 Max：3.6 V●動作温度 Max：+85 ℃●ワード数：512Kbit●Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon マイコン CY8C21223， 16-Pin SOIC CY8C21223-24SXIINFINEON￥19,980税込￥21,978
1セット(48個)
7日以内出荷
仕様●ファミリー名： CY8C21223●パッケージタイプ： SOIC●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 16●データバス幅： 8bit●プログラムメモリサイズ： 4 kB●最大周波数： 24MHz●RAMサイズ： 256 B●PWMユニット数： 2 x 8/16 bit●SPIチャンネル数： 1●I2Cチャンネル数： 1●長さ： 9.98mm●PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-GINFINEON￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 4Mbit， 256K x 16 CY62147EV30LL-45ZSXIINFINEON￥609税込￥670
1個
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4Mbit●構成： 256K x 16●ワード数： 256k●1ワード当たりのビット数： 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon バッファ， 8-Pin SOIC CY2305SXI-1INFINEON￥379税込￥417
1個
7日以内出荷
仕様●最大供給電流： 32 mA●最大入力周波数： 133MHz●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-DGINFINEON￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 4096kbit， 512 K x 8 ビット， 32-Pin CY62148EV30LL-45ZSXITINFINEON￥719,800税込￥791,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4096kbit●構成： 512 K x 8 ビット●ワード数： 512k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 8bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-32●ピン数： 32●寸法： 8.1 x 11.9 x 1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 11.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-SPI， FM25C160B-GINFINEON￥24,980税込￥27,478
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2K x 8●インターフェースタイプ： シリアル-SPI●データバス幅： 8bit●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pioneer 開発 ボード CY8CKIT-042INFINEON￥6,898税込￥7,588
1個
翌々日出荷
仕様●分類： 開発 ボード●キット名： Pioneer●テクノロジー： PSoC●デバイスコア： ARM Cortex M0●プロセッサファミリ名： PSoC●プロセッサ品番：CY8C4245AXI-483●プロセッサ種類： MCU●クイックスタートガイド、USB-A - Mini-Bケーブル、ジャンパワイヤ x 6. CY8CKIT-042-BLE キットは、PSoC 4と追加のBLE (Bluetooth 4.1)ワイヤレス機能を備えています。. CY8CKIT-042 PSoC 4200 Pioneerキット、Cypress. CY8CKIT-042 PSoC 4 Pioneer開発キットは、使いやすくコスト効果の高いプラットフォームです。作成や設計が簡単になります。この開発キットは、Arduinoシールドのハードウェア互換性と、使いやすいFCC認定のPSoC 4 BLE及びPRoC BLEモジュールを活用し、設計の柔軟性を最大限に高められるよう設計されています。この開発プラットフォームを使用すると、ミックスドシグナル機能とBluetooth LE無線の両方を必要とする組込みソリューションを簡単に開発できます。 PSoC Creator(TM)ソフトウェアはPC上で動作し、システムの設計、アプリケーションファームウェアの記述、PSoCへのコードのダウンロード、内蔵デバッガを使用したステップスルー実行が可能です。. オンボードの内容 - 48 MHz CY8C4245AXI-483 Cortex-M0コアPSoC 4200 (32 KBフラッシュメモリ、4 KB SRAMを搭載) - オンボードCY8C5868LTI-LP039 PSoC 5LPベースのプログラマ / デバッガ - オンボードNCP1117DT +3.3 V電圧レギュレータ - SmartSense自動調整機能付きCapSenseRタッチスライダ - PSoC 4用のリセットプッシュボタン - ユーザープッシュボタン - ユーザーRGB LED - PSoC 5LP用のステータスLED - PSoC 4のプログラミング / デバッグ用USB Mini-Bコネクタ - 6ピンDigilent Pmod拡張コネクタ - Arduino Uno v3 Shieldヘッダ - PSoC 5LP用10ピンプログラミングヘッダ - PSoC 5LP GPIO用12ピン拡張ヘッダ - 電源: USBコネクタ(Vbus +5 V dc)又はArduino Shieldヘッダ(Vin +5 → +12 V dc)から 用途 - 組み込み設計と開発 - センシング及び計装 - 電源管理 - 通信及びネットワーキング - 信号処理RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128 K x 16 ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： VFBGA●ピン数： 48●寸法： 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max： 3.6 Vmm●幅： 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 512kbit， 32k x 16， 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXIINFINEON￥1,698税込￥1,868
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 512kbit●構成： 32k x 16●ワード数： 32k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 10ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-44●ピン数： 44●寸法： 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 4Mbit， 512K x 8 CY62148EV30LL-45ZSXIINFINEON￥829税込￥912
1個
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4Mbit●構成： 512K x 8●ワード数： 512k●1ワード当たりのビット数： 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 128 k x 8 CY7C109D-10VXIINFINEON￥14,980税込￥16,478
1セット(23個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 128 k x 8●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 128 k x 8ビット， 16-Pin CY14B101PA-SFXIINFINEON￥1,998税込￥2,198
1個
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 128 k x 8ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 15ns●クロック周波数： 104MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 16●寸法： 10.49×7.59×2.36mm●高さ： 2.36mm●動作温度 Max： +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1024kbit， 128 k x 8ビット， 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXITINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1024kbit●構成： 128 x 8ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 8bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-32●ピン数： 32●寸法： 8.1×11.9×1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 11.9mm●Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命- (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速： 45 ns 電圧範囲： 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになりますRoHS指令(10物質対応)対応
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