FAIRCHILD SEMICONDUCTORの電子部品(オンボード)

最大連続コレクタ電流 = 46 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 420 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±14V。最大パワー消費 = 250 W。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.67 x 9.65 x 4.83mm。動作温度 Min = -40 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.15V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.5V。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = H11LXM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

最大順方向電流 = 400mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.56mm。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。直径 = 1.91mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Max = +175 ℃。高さ = 4.56mm。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。直径 = 1.91mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード