RoHS
ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 2.5 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 1.7 V電圧制御範囲 = 1.1 → 1.7 V最小負荷電流 = 2.5 A接点構成 = SPST出力装置 = MOSFET寸法 = 9.65 x 6.35 x 4.19mm高さ = 4.2mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 2.5 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 60 V最大電圧制御 = 1.7 V電圧制御範囲 = 1.1 → 1.7 V最小負荷電流 = 2.5 A接点構成 = SPST出力装置 = MOSFET最大ターンオン時間 = 3.2 ms寸法 = 9.9 x 6.6 x 3.68mm高さ = 3.7mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.2 A取り付けタイプ = 表面実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = AC/DC 、 DC のみ接点構成 = SPST出力装置 = MOSFETリレータイプ = PhotoMOSFETシリーズ = ASSR-1218ms寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm奥行き = 4.4mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥26,980
税込￥29,678
7日以内出荷
ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.2 A取り付けタイプ = 表面実装最大負荷電圧 = 60 V最小負荷電圧 = -60 V最大電圧制御 = 0.8 Vスイッチングタイプ = AC/DC 、 DC のみ接点構成 = SPST出力装置 = MOSFETリレータイプ = PhotoMOSFETシリーズ = ASSR-1218ms寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm動作温度 Min = -40℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥23,980
税込￥26,378
7日以内出荷
ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、ASSRシリーズ、Avago Technologies. Avago TechnologiesのフォトMOSFETソリッドステートリレーファミリは、赤外線発光ダイオード(LED)及び検出器(高速太陽光発電ダイオードアレイ、及び2個の個別高電圧MOSFETのオン / オフを切り替えるドライバ回路で構成)で構成されています。
仕様最大負荷電流 = 0.6 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 60 V最大電圧制御 = 1.65 V電圧制御範囲 = 1.1<arrow/>1.7 V最小負荷電流 = 0.6 A出力装置 = MOSFET寸法 = 4.3 x 4.4 x 2mm動作温度 Min = -40℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥49,980
税込￥54,978
7日以内出荷
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