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Infineon 2 GHz RFアンプ IC， 4.5 V， 4-Pin SOT-343INFINEON￥919税込￥1,011
1袋(10個)
翌々日出荷
RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。
仕様アンプタイプ = ブロードバンドMMIC標準パワーゲイン = 19 dB標準出力パワー = 18dBm標準ノイズ = 2.6dB回路数 = 1最大動作周波数 = 2 GHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-343ピン数 = 4寸法 = 2 x 1.25 x 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 2mm動作温度 Min = -65 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-SPI， FM25C160B-GINFINEON￥24,980税込￥27,478
1セット(97個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-SPIデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， SPI， FM25040B-GINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 256kbit， SOIC， SPI， FM25W256-GINFINEON￥98,980税込￥108,878
1セット(97個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 32kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 1Mbit， SOIC， SPI， FM25V10-GINFINEON￥169,800税込￥186,780
1セット(97個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 18ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 128kbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， SPI， FM25640B-GINFINEON￥56,980税込￥62,678
1セット(97個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， SOIC， SPI， FM25CL64B-GINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， シリアル-SPI， FM25L04B-GTRINFINEON￥569,800税込￥626,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています。高耐久性： 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY 書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス 超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI ) 周波数：最大 20 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です。SPI モード 0 ( 0 、0 )及びモード 3 ( 1 、1 )をサポート 洗練された書き込み保護スキーム 書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護 書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 低消費電力 200 mA アクティブ電流 @ 1 MHz スタンバイ電流： 3 mA (標準 低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V 産業温度： -40 ℃ → +85 ℃ パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです
仕様メモリサイズ = 4kbit、構成 = 512 M x 8ビット、インターフェースタイプ = シリアル-SPI、データバス幅 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 20ns、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOIC、ピン数 = 8、寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.47mm、長さ = 4.97mm、動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm、高さ = 1.47mm、動作温度 Max = +85 ℃、自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 512kbit， SOIC， SPI， FM25V05-GINFINEON￥1,798税込￥1,978
1個
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64KbitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 500 mA SOIC 1 8-Pin ハイサイド 非反転 表面実装INFINEON￥21,980税込￥24,178
1セット(95個)
7日以内出荷
Infineon MOSFET / IGBT ドライバ ハイサイド. Infineon のゲートドライバ IC は、ハイサイド構成で MOSFET 又は IGBT パワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 500 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 4 A SOIC8N 8-PinINFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC8NnsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 420 mA 28 Lead SOIC 28-PinINFINEON￥19,980税込￥21,978
1セット(25個)
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS， LSTTL出力電流 = 420 mA供給電圧 = 25Vピン数 = 28パッケージタイプ = 28 Lead SOICnsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 2.5 A SOIC W 2 16-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装INFINEON￥19,980税込￥21,978
1セット(45個)
7日以内出荷
MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 2.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC W出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 1.9 A 8 Lead SOIC 8-PinINFINEON￥24,980税込￥27,478
1セット(95個)
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS， LSTTL出力電流 = 1.9 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = 8 Lead SOICnsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 2.5 A SOIC 2 16-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装INFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
MOSFET / IGBTゲートドライバ、ハイサイド及びローサイド、Infineon. InfineonのゲートドライバICは、ハイサイド及びローサイドの構成でMOSFET又はIGBTパワーデバイスを制御します。
仕様出力電流 = 2.5 A供給電圧 = 20Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
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