集積回路(IC) (4) ディスクリート (33) カテゴリ: 能動部品ブランド: MICROCHIPすべて解除
マイクロチップ, 4Mbit フラッシュメモリ パラレル, 4.5→5.5V, 32-Pin PLCC MICROCHIP 当日出荷
仕様 メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip A/Dコンバータ, 12ビット, ADC数:4, 100ksps, MCP3204-CI/P MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 ●アーキテクチャ: SAR●ADC数: 4●分解能: 12ビット●サンプリングレート: 100ksps●入力信号タイプ: 擬似 ディファレンシャル, シングル エンデッド●入力タイプ: 電圧●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: PDIP●ピン数: 14●全非線形エラー: ±2LSB●デジタルインターフェースタイプ: シリアル (SPI)●標準シングル供給電圧: 5 V●動作温度 Min: -40 ℃mm●MCP30/MCP32/MCP33シリーズ継続的近似化レジスタ(SAR)A/Dコンバータ RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip コンバータ, 1A, 30 V, 表面実装 MIC4690YM MICROCHIP 5日以内出荷
ステップダウンDC/DCスイッチングレギュレータ(内部スイッチ付)、Micrel Inc
仕様 出力電流 Max = 1Aレギュレータ機能 = バック コントローラ出力電圧 Min = 1.23 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 30 V出力タイプ = 可変実装タイプ = 表面実装出力数 = 1最大スイッチング周波数 = 550 kHzパッケージタイプ = SOICスイッチングレギュレータ = あり動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip 電源スイッチIC MICROCHIP 5日以内出荷
USB Power Switch, Micrel. Micrelのハイサイドスイッチは、さまざまな用途の配電に適しています。 主にUSB周辺機器、デスクトップPC、又はノートPCで使用されています。
仕様 電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 90mΩ動作供給電圧 Max = 5.5 V出力数 = 4A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 5 x 3.99 x 1.63mm RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip 降圧 DC-DCコンバータ, 出力電圧(Min):1.23 V TO-220 MICROCHIP 5日以内出荷
ステップダウンDC/DCスイッチングレギュレータ(内部スイッチ付)、Micrel Inc
仕様 出力電圧 Min = 1.23 V出力電圧 Max = 37 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 40 V出力電流 Max = 3Aコンバータタイプ = ステップダウン出力数 = 1出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ピン数 = 5動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃高さ = 9.17mm RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip 降圧 DC-DCコンバータ TO-263 MICROCHIP 5日以内出荷 から 7日以内出荷
ステップダウンDC/DCスイッチングレギュレータ(内部スイッチ付)、Micrel Inc
仕様 出力電圧 Max = 5 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 40 V出力電流 Max = 3Aコンバータタイプ = ステップダウン出力数 = 1出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-263ピン数 = 5動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃スイッチングレギュレータ = あり RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip 降圧 DC-DCコンバータ, 出力電圧(Min):1.23 V TO-263 MICROCHIP 5日以内出荷
ステップダウンDC/DCスイッチングレギュレータ(内部スイッチ付)、Micrel Inc
仕様 出力電圧 Min = 1.23 V出力電圧 Max = 37 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 40 V出力電流 Max = 1Aコンバータタイプ = ステップダウン出力数 = 1出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-263ピン数 = 5動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃効率 = 82% RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, 64Mbit フラッシュメモリ SPI, 2.7→3.6V, 8-PinWDFN MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip 降圧 / 反転 DC-DCコンバータ MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 出力電圧 Min:1.23 V 、 出力電圧 Max:37 V 、 入力電圧 Min:4 V 、 入力電圧 Max:40 V 、 出力電流 Max:1A 、 コンバータタイプ:反転, ステップダウン 、 出力数:1 、 出力タイプ:固定 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TO-263 、 ピン数:5 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 スイッチングレギュレータ:あり 、 ステップダウンDC/DCスイッチングレギュレータ(内部スイッチ付)、Micrel Inc RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip A/Dコンバータ, 10ビット, ADC数:4, 200ksps, MCP3004-I/SL MICROCHIP 7日以内出荷
MCP30/MCP32/MCP33シリーズ継続的近似化レジスタ(SAR)A/Dコンバータ
仕様 アーキテクチャ = SARADC数 = 4分解能 = 10ビットサンプリングレート = 200ksps入力信号タイプ = 擬似 ディファレンシャル, シングル エンデッド入力タイプ = 電圧実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14全非線形エラー = ±1LSBデジタルインターフェースタイプ = シリアル (SPI)標準シングル供給電圧 = 5 V動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip コンバータ, 1.3A, 34 V, 表面実装 MIC4680YM MICROCHIP 7日以内出荷
ステップダウンDC/DCスイッチングレギュレータ(内部スイッチ付)、Micrel Inc
仕様 出力電流 Max = 1.3Aレギュレータ機能 = バック コントローラ出力電圧 Min = 1.25 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 34 V出力タイプ = 可変実装タイプ = 表面実装出力数 = 1最大スイッチング周波数 = 220 kHzパッケージタイプ = SOICスイッチングレギュレータ = あり動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI MICROCHIP 7日以内出荷
Microchip 25AA256-I/P は、256 K ビットシリアル電気消去可能 PROM です。このメモリには、シンプルなシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)互換のシリアルバスを使用してアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力(SCK)に加えて、データ入力(SI)とデータ出力(SO)の個別のラインです。デバイスへのアクセスは、チップ選択(CS)入力によって制御されます。デバイスとの通信は、ホールド(HOLD)ピンで一時停止させることができます。最大クロック: 10 MHz 低電力CMOSテクノロジー: 書き込み電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V - 読み取り電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V、10 MHz - スタンバイ電流: 1 μA @ 5.5V セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 高い信頼性: 耐久性: 100万回の消去 / 書き込みサイクル - データ保持: 200年 - ESD保護: 4000 V 対応温度範囲: 車載向けAEC-Q100認定
仕様 メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = DFN 、PDIP 、SOIC 、TSSOP実装タイプ = スルーホールピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 9.27 x 6.35 x 3.3mm動作温度 Max = +85 ℃ RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, 2Mbit フラッシュ メモリ SPI, 3→3.6V, 8-Pin SOIC MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 メモリサイズ:2Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:8●構成:256 K x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:3 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5mm●高さ:1.5mm●幅:4mm●寸法:5 x 4 x 1.5mm●ワード数:256K●SST25LF020AシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.2 A SOIC 4 16-Pin ローサイド 非反転 表面実装 MICROCHIP 7日以内出荷
TC4467 / 4468 / 4469 MOSFETドライバ. Microchip TC4467、TC4468、TC4469は、4出力ローサイドMOSFETドライバのシリーズです。 これらのMOSFETドライバでは、各出力用の2つの入力をロジックゲートとして設定しています。. 特長. 動作範囲: 4.5 → 18 V 対称立ち上がり及び立下り: 25 ns 短い等価遅延時間: 75 ns ラッチ防止 - 500 mAの誘導性キックバックに耐える 出力あたり2つの入力ロジックゲート - TC4467用のNAND、TC4468用のAND、TC4469用のAND/INV すべてのピンに2 kV ESD保護
仕様 ロジックタイプ = CMOS出力電流 = 1.2 A供給電圧 = 18Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC出力数 = 4トポロジー = ローサイドドライバ数 = 4ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, 64Mbit フラッシュ メモリ SPI, 2.7→3.6V, 16-Pin SOIC MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip 電源スイッチIC MICROCHIP 7日以内出荷
USB Power Switch, Micrel. Micrelのハイサイドスイッチは、さまざまな用途の配電に適しています。 主にUSB周辺機器、デスクトップPC、又はノートPCで使用されています。
仕様 電源スイッチの種類 = USB電源オン抵抗 = 90mΩ動作供給電圧 Max = 5.5 V出力数 = 4A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 5 x 3.99 x 1.63mm RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip Technology クロックジェネレータ MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 コントロールタイプ:PWMコントローラ 、 出力数:1 、 最大スイッチング周波数:3 MHz 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:14 、 寸法:8.75 x 4 x 1.65mm 、 長さ:8.75mm 、 幅:4mm 、 高さ:1.65mm 、 入力電圧 Max:120 V 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 出力電流 Max:10A 、 出力電圧 Max:4.16 V 、 動作温度 Min:-55 ℃ RoHS指令(10物質対応) 対応
Microchip マイコン Microcontrollers, 44-Pin TQFP ATMEGA644PV-10AU MICROCHIP 7日以内出荷
ファミリー名 = Microcontrollersパッケージタイプ = TQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 44デバイスコア = AVRデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 20MHzRAMサイズ = 4 kBUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 1SPIチャンネル数 = 3USARTチャネルの数 = 2ADC数 = 8 x 10ビットmmAVR 拡張 RISC アーキテクチャベースの Microchip ATmega48PA CMOS 8 ビットマイクロコントローラです。1.8 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。AVR コアは、豊富な命令セットと 32 の汎用作業レジスタを組み合わせます。64 KB のインシステムプログラマブルフラッシュ、読み取り / 書き込み機能付き、 2 KB EEPROM 、 4 KB SRAM 、 32 個の汎用 I/O ライン、 32 個の汎用作業レジスタ、リアルタイムカウンタ、 3 個のフレキシブルタイマ / カウンタ、比較モード / PWM 、 2 個の USART 、バイト指向の 2 線シリアルインターフェース、 プログラマブルゲインの差動入力段をオプションで備えた 8 チャンネル 10 ビット A/D コンバータ、内蔵発振器付きのプログラマブルウォッチドッグタイマ、 SPI シリアルポート、オンチップデバッグ及びプログラミング用の JTAG ( IEEE R 1149.1 準拠)テストインターフェイス、 6 つのソフトウェアで選択可能な省電力モードを搭載しています。最大スループット: 20 MIPS @ 20 MHz オンチップ 2 サイクルマルチプライヤ ソフトウェアセキュリティのためのプログラミングロック 2 つの 8 ビットタイマ / カウンタ、独立したプリスケーラ及び比較モード付き 16 ビットタイマ / カウンタ x 1 / 2 、プリスケーラ、比較モード、キャプチャモード付き リアルタイムカウンタには、個別の発振器が付属しています マスタ / スレーブSPIシリアルインターフェイス プログラマブルウォッチドッグタイマ(独立したオンチップ発振器を搭載) オンチップアナログコンパレータ ピン変更時の割り込み / ウェイクアップ パワーオンリセット及びプログラマブルブラウンアウト検出 内部較正済み RC 発振器 外部 / 内部の割り込みソース 44 リード TQFP パッケージ
Microchip ハイサイド ロードスイッチ MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 電源スイッチの種類:ハイサイド負荷スイッチ 、 スイッチオン抵抗:160mΩ 、 出力数:1 、 電圧:1.7 → 5.5V 、 電流:3A 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:MLF 、 ピン数:4 、 寸法:1.2 x 1.2 x 0.7mm 、 長さ:1.2mm 、 幅:1.2mm 、 高さ:0.7mm 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 ハイサイド電源スイッチ、Micrel Inc. ロー又はハイイネーブルロジック ソフトスタート RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, 16Mbit フラッシュ メモリ クワッドSPI, 2.7→3.6V, 8-PinWDFN MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:5mm 、 寸法:6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応) 対応
マイクロチップ, 8Mbit フラッシュ メモリ パラレル, 3→3.6V, 48-Pin TFBGA MICROCHIP 7日以内出荷
仕様 メモリサイズ:8Mbit●インターフェースタイプ:パラレル●パッケージタイプ:TFBGA●ピン数:48●構成:512 K x 16ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:3 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:8mm●高さ:0.75mm●幅:6mm●寸法:8 x 6 x 0.75mm●ワード数:512K●SST39LF800AパラレルSuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応) 対応
『電子部品(オンボード)』には他にこんなカテゴリがあります USB マスター PEPPERL+FUCHS 税込 ¥ 96,778 ¥ 87,980 バスケットへ
工具 住友電気工業(Optigate(R)) 税込 ¥ 274,780 ¥ 249,800 バスケットへ
工具 住友電気工業(Optigate(R)) 税込 ¥ 79,178 ¥ 71,980 バスケットへ
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