能動部品 ：「m-180」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 179 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 15.87mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 580 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

静電容量 = 18pF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±5%寸法 = 1.02 x 0.51 x 0.61mm長さ = 1.02mm奥行き = 0.51mm高さ = 0.61mmシリーズ = VJ HIFREQ動作温度 Max = +125℃Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

静電容量 = 180pF電圧 = 250V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±10%寸法 = 2 x 1.25 x 1.45mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.45mmシリーズ = VJ HIFREQ末端仕様 = 表面実装℃Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor