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Wolfspeed 整流ダイオード， 24A， 650V スルーホール， 2-Pin TO-220 SiCショットキー 2.4VWOLFSPEED

￥1,998税込￥2,198

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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続順方向電流 = 24Aピーク逆繰返し電圧 = 650Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 650ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed NチャンネルパワーMOSFETWOLFSPEED

￥1,798～税込￥1,978～

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チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET

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C2M0080120DWOLFSPEED

￥4,198税込￥4,618

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RoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1700 V 5 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンWOLFSPEED

￥45,980税込￥50,578

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Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1700 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.1V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 69 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -5 V， +20 V幅 = 5.21mm高さ = 21.1mmRoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード， 2A， 600V スルーホール， 2-Pin TO-220 SiCショットキー 2.4VWOLFSPEED

￥6,598税込￥7,258

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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 65ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 90 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンWOLFSPEED

￥15,980税込￥17,578

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Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 90 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 463 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード， 14A， 1200V スルーホール， 2-Pin TO-220 SiCショットキー 3VWOLFSPEED

￥1,298税込￥1,428

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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続順方向電流 = 14Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 71ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード， 4A， 600V スルーホール， 2-Pin TO-220 SiCショットキー 2.4VWOLFSPEED

￥6,798税込￥7,478

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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード，コモンカソード， 38A， 1200V スルーホール， 3-Pin TO-247 SiCショットキー 3VWOLFSPEED

￥27,980税込￥30,778

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Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247最大連続順方向電流 = 38Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 46ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード， 6A， 600V スルーホール， 2-Pin TO-220 SiCショットキー 2.4VWOLFSPEED

￥13,980税込￥15,378

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7日以内出荷

Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード， 10A， 1200V スルーホール， 2-Pin TO-220 SiCショットキー 3VWOLFSPEED

￥1,998税込￥2,198

1袋(5個)

翌々日出荷

Z-Recシリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 19ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオード，コモンカソード， 88A， 1200V スルーホール， 3-Pin TO-247 SiCショットキー 3VWOLFSPEED

￥2,698税込￥2,968

1個

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Z-Rec シリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。. 定格電圧: 600、650、1200、1700 ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧温度に依存しないスイッチング動作超高速スイッチング、最小損失正温度係数順方向電圧デバイスは熱暴走せずに並列可能ヒートシンク要件を削減 PFCブーストダイオード用途向けに最適化

仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-247最大連続順方向電流 = 88Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = SiCショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = SiCショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ARoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 19 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンWOLFSPEED

￥54,980税込￥60,478

1セット(30個)

7日以内出荷

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレインソース間降伏電圧最大 1200 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 196 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -5 V， +20 Vトランジスタ素材 = SiCmm高さ = 21.1mmRoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 31 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンWOLFSPEED

￥139,800税込￥153,780

1セット(30個)

7日以内出荷

Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 208 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.2V最低ゲートしきい値電圧 = 1.7V最大パワー消費 = 208 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V、+25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応

N-chan SiC MOSFETWOLFSPEED

￥219,800税込￥241,780

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仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。；強化モードNチャンネルSiC技術；高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ；複数のデバイスを簡単に接続して駆動；高速スイッチング、低いオン状態抵抗；抗ラッチアップ動作RoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed 整流ダイオードWOLFSPEED

￥25,980税込￥28,578

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仕様ダイオード構成：コモンカソード、1チップ当たりのエレメント数：2、ピーク逆繰返し電圧：650V、実装タイプ：スルーホール、パッケージタイプ：TO-247、ダイオードタイプ：SiCショットキー、ピン数：3、最大順方向降下電圧：2.4V、長さ：16.13mm、幅：21.1mm、高さ：5.21mm、パワー消費：136.3W、Z-Rec(TM)シリコンカーバイドショットキーダイオード、Wolfspeed. Wolfspeed SiC (シリコンカーバイド)ショットキーダイオードシリーズは、標準のショットキーバリアダイオードに比べて性能が大きく向上しています。 SiCダイオードは、非常に高い絶縁破壊電界強度や優れた熱伝導性、そして高スイッチング周波数での電力損失の大幅な削減を実現します。 Sicダイオードは、スイッチモード電源や高速インバータなどの高周波数、高電圧用途に最適です。；定格電圧: 600、650、1200、1700 ；ゼロ逆回復電流及び順方向回復電圧；温度に依存しないスイッチング動作；超高速スイッチング、最小損失；正温度係数順方向電圧；デバイスは熱暴走せずに並列可能；ヒートシンク要件を削減； PFCブーストダイオード用途向けに最適化RoHS指令(10物質対応)対応

Wolfspeed デュアル NチャンネルパワーMOSFETWOLFSPEED

￥93,980～税込￥103,378～

1個ほか

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仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。；超低損失高周波動作； SiC特性により、並列が容易；通常オフ、フェイルセーフ動作；銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減ピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最小ゲートしきい値電圧(V)1.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25カテゴリーパワーMOSFET

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