能動部品 ：「MC」の検索結果

レギュレータタイプ = リニア電圧mA出力電圧 = -5 Vラインレギュレーション = 50 mV精度 = 4%極性 = 負パッケージタイプ = DPAKピン数 = 3出力タイプ = 固定寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm高さ = 2.38mm幅 = 6.22mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 42000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.3mm高さ = 0.75mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 30 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.3mm高さ = 0.75mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータモジュレーションタイプ = バランス最大I/Q周波数 = 300MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14最大供給電流 = 5 mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm高さ = 1.75mm長さ = 8.75mm幅 = 4mmMC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理 平衡入力 / 出力 コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード ； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

レギュレータタイプ = リニア電圧A出力電圧 = -12 Vラインレギュレーション = 240 mVロードレギュレーション = 240 mV極性 = 負静止電流 = 8mAピン数 = 3パワーレーティング = 15W寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm動作温度 Min = -40 ℃mm幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧A出力電圧 = 12 Vラインレギュレーション = 240 mVロードレギュレーション = 240 mV極性 = 正静止電流 = 8mAピン数 = 3パワーレーティング = 15W寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm動作温度 Min = -40 ℃mm幅 = 6.22mmMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の 12 V リニア電圧レギュレータは、 MC7812 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。ポジティブ 7812 電圧レギュレータには、外部コンポーネントは不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全区域補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 4Aピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 500mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 80AON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 V

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -55 ℃74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

最大出力周波数 = 0.7MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICMHzピン数 = 16寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm高さ = 2.4mm長さ = 10.45mm動作供給電圧 Max = 18 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -55 ℃幅 = 7.6mm電圧制御発振器(VCO)、ON Semiconductor. PLLベースの電圧制御発振器(VCO)です。

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 4.5mm74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74AC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 反転実装タイプ = 表面実装ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

論理回路 = ACロジックタイプ = OR入力タイプ = TTL出力タイプ = TTL極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 4最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 1.5mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = ACTロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 24mA低レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4mmMC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

論理回路 = LSTTLロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm幅 = 4.5mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = Dフリップフロップ入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップトリガータイプ = 正エッジ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = セット / リセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.5mm

論理回路 = ACロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = TTL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20セット/リセット = マスターリセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm幅 = 7.6mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = ECL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC-NB の略ピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -3mA伝送 = ECL-LVTTL伝播遅延テスト条件 = 20pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 2回路数 = 16極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

管理数 = 1最大リセット閾値電圧 = 1.29V最小リセット閾値電圧 = 1.24V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = マイクロピン数 = 8寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm最大リセット閾値電圧 = 4V動作供給電圧 Max = 40 V自動車規格 = AEC-Q100V自動車用 NCV バージョン 一意のモード選択入力により、チャネルプログラミングが可能です 過電圧、低電圧、窓電圧検出 正 / 負電圧検出 2.0 V で完全に機能し、正の電圧検出に使用し、負の電圧検出には 4.0 V を使用します 電流制限保護付き 2.54 V リファレンスをピン配列しています 低待機電流 オープンコレクタ出力により、デバイスの柔軟性が向上 鉛フリーパッケージを用意 用途 電子ボディ 制動 インフォテイメント インストルメントクラスタ ナギブーター 乗員の快適性 乗員保護 パワートレイン

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = バイポーラ ショットキー TTL1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18.5 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm高さ = 1.05mm長さ = 5.1mm74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

論理回路 = VHCTロジックタイプ = 非反転チャンネル数 = 1入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4.5mm高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 155 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5論理回路 = HC寸法 = 3 x 1.5 x 1mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 1mm74HC1Gファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 74HC CMOSロジックファミリの、省スペース型シングルゲートデバイス. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

電圧管理タイプ = 電圧モニター管理数 = 1最大リセット閾値電圧 = 1.295V最小リセット閾値電圧 = 1.245V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 40 V動作供給電圧 Min = 2 Vマイクロプロセッサ監視/リセット回路、On Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 18 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V4000シリーズエンコーダ / デコーダ、マルチプレクサ / デマルチプレクサ、ON Semiconductor

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP出力タイプ = 3ステート寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -55 ℃

論理回路 = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm低レベル出力電流 Max = 2.4mA高レベル出力電流 Max = -2.4mA伝送 = CMOS， TTL to CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 550 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -55 ℃4000シリーズロジックレベルトランスレータ、電圧トランスレータ、ON Semiconductor

出力電流 = 15 mA供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = スルーホールON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

論理回路 = 74ACロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4.5mmMC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates