絞り込み
ブランド
- onsemi
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(7)
- HAMMOND(3)
- 京セラ(2)
- KEMET(2)
- KINGBRIGHT(2)
- ON SEMICONDUCTOR(2)
- SIEMENS(2)
- FTDI Chip(2)
- MURATA(村田製作所)(1)
- Kemet-BHC(1)
- Monolithic Power Systems (MPS)(1)
- Atrato(1)
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(2)
商品レビュー
- 以上(0)
- 以上(0)
- 以上(0)
- 以上(0)
価格
- 1,500-10,000円(1)
- 100,000円以上(1)
価格で絞り込む
出荷目安
- 当日
- 翌日以内
- 翌々日以内
- 3日以内
- 4日以内
当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内
その他
- 取扱い終了商品を除く
- 個人購入不可商品を除く
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 55 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V長さ = 10.67mm高さ = 4.83mmQFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FQB5N90TMonsemi￥199,800税込￥219,780
1セット(800個)
7日以内出荷
パッケージタイプ = D2PAK実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 158 Wピン数 = 2 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
『電子部品(オンボード)』には他にこんなカテゴリがあります
- 機構部品(電子部品)
- 能動部品
- 受動部品
