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Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥11,980税込￥13,178
1セット(25個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.3mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 29 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,998税込￥3,298
1セット(50個)
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 29 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon システムオンチップ マイクロコントローラ CMOS CY8C4245AXI-483INFINEON￥179,800税込￥197,780
1セット(320個)
7日以内出荷
仕様●プロセッシングユニット： マイクロコントローラ●アプリケーション： 自動車， 静電容量方式， コントローラ， 組み込み， フラッシュ， LCD， LED， USB●テクノロジー： CMOS●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TQFP●ピン数： 44●寸法： 10×10×1.4mm●高さ： 1.4mm●長さ： 10mm●動作供給電圧 Max： 5.5 V●動作温度 Max： +85 ℃●動作供給電圧 Min： 1.71 V●動作温度 Min： -40 ℃●幅： 10mm●PSoC 4 (ARM Cortex-M0コア)、Cypress. Cypress Semiconductor PSoC 4 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリには、ARM Cortex-M0プロセッサが採用されており、4100と4200の製品ファミリのプラットフォームアーキテクチャはどちらもマイクロコントローラと、コンパレータモード付きオペアンプ、デジタルプログラマブルロジック、A/Dコンバータ、通信デバイス、タイミングデバイスを組み合わせた構成になっています。PSoC4プラットフォームでは、設計や新たな用途に対応できるように各コントローラで相互に互換性が保たれています。. 32ビットMCUサブシステム 24 MHz ARM Cortex-M0 CPU (単一サイクル乗算機能搭載) ( PSoC 4100 ファミリ) 48 MHz ARM Cortex-M0 CPU (単一サイクル乗算機能搭載) ( PSoC 4200 ファミリ) 最大32 kBのフラッシュ(読み取りアクセラレータ付) 最大4 kBのSRAM / SRAM+ PSoC 4プラットフォームのメンバーに対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 190 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥439税込￥483
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 220000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 10 Vmm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
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