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Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥1,598税込￥1,758
1袋(25個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 85 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥899税込￥989
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40 V は、サーバーやデスクトップなどの Switched Mode 電源( SMPS )の同期整流に最適です。さらに、これらのデバイスは、モータ制御、高速スイッチング DC-DC コンバータなど、幅広い産業用途に使用できます。最高レベルのシステム効率 並列の必要性を軽減 電力密度の向上 システムコストの削減
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 57 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 20 V幅 6.35mm高さ 1.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥349,800税込￥384,780
1セット(5000個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS 3 パワー MOSFET 、60 80V. OptiMOS 製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。SMPS 用の高速スイッチング MOSFET DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル・ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TDSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12.1 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.2V最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 69 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.35mm高さ = 1.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 20 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥329,800税込￥362,780
1セット(5000個)
7日以内出荷
Infineon の OptiMOS シリーズデュアル N チャンネル MOSFET は、ドレイン - ソース電圧が 55ワイヤボンディング及びボンドワイヤ用の大規模なソースリードフレーム接続の利点は、最大 20 A の電流で 200 um のものがあります。車載AEC-Q101認定 MSL1 Peak リフロー：最高 260 ℃ ～ 175 ℃ の動作温度 グリーンパッケージ 超低 RDS 100% アバランシェ試験済み
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TDSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.065 Ω Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.2V1チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A 表面実装 パッケージPG- TDSON-8INFINEON￥159,800税込￥175,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS T2パワーMOSFET. Infineonの新しいOptiMOS-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。この新しいOptiMOS-T2製品ファミリは、既存のOptiMOS-T及びOptiMOSの拡張ファミリです。OptiMOS製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。Nチャンネル 強化モード AEC認定 MSL1、最大260 ℃ピークのリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(RoHS対応)
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PG- TDSON-8実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥359税込￥395
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 2.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 136 A SMD パッケージPG-TDSONINFINEON￥10,980税込￥12,078
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = PG-TDSON実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(20個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
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