制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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エコ商品
ULE72873.ねじ端子付きブリッジ整流器モジュール、VBO40シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)絶縁のパッケージ非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化
寸法(mm)38.3×25.07×9.6
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)800
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)320
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.15
ブリッジタイプ単相
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)210
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO160シリーズ、IXYS.ねじ止め端子付きパッケージ絶縁耐圧:3000Vrms低順方向電圧降下
幅(mm)54
寸法(mm)94×54×30
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク平均順方向電流(A)175
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.65
ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.95
1個
￥9,698
税込￥10,668
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)200
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費680W
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
UL認定コンポーネント: 認定番号E76270 CSA認定コンポーネント: 認定書1172007 EN / IEC60950-1認定コンポーネント: 認定書B 13 12 82667 003. 1フォームA 1500 Vrms SOP OptoMOSリレー、CPC. この単極ミニチュアソリッドステートリレーは、常時開(1フォームA)コンタクトを備え、4ピンSOPパッケージに収容されています。 このリレーは、光結合MOSFET技術を利用して入出力間で1500 Vrmsの絶縁を実現します。 有名なOptoMosアーキテクチャが採用されている出力は、効率的なMOSFETスイッチ及び光起電性ダイによって制御されます。 効率のよい赤外線LED入力で光結合制御を可能にします。 このリレーは、ダブルモールド垂直構造パッケージを採用することで、最も小型のリレーの1つとなっています。 このため、他の大型4ピンSOPリレーよりも基板のスペースを20 %以上節約することができます。 考えられる用途: セキュリティ: 受動型赤外線検出器(PIR)、データ信号伝達、センサ回路 計測機器: マルチプレクサ、データ収集、電子スイッチング、I/Oサブシステム メータ(ワット時、水量、ガス) 医療機器: 患者 / 機器の絶縁 航空宇宙 産業用制御 センサ回路 計装 マルチプレクサ データ収集. 特長 1500 Vrms入力 / 出力絶縁 動作に必要なLED電流はわずか0.5 mA 小型4ピンSOPパッケージ 高い信頼性 アークフリー(スナバ回路なし) EMI / RFI発生なし 放射電磁界に対する耐性 ウエーブはんだ付け可能
仕様最大負荷電流 = 150 mA取り付けタイプ = 表面実装スイッチングタイプ = DC極数 = 1接点構成 = SPST出力装置 = リレーリレータイプ = OptoMOS最大ターンオン時間 = 2ms寸法 = 4.089 x 3.81 x 2.1203mm高さ = 2.1mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
幅(mm)28.5
寸法(mm)28.5×28.5×10
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプスクリューマウント
ピーク平均順方向電流(A)35
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.7
1個
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
寸法(mm)28.5×28.5×10
高さ(mm)10
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプスクリューマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)1600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.7
ブリッジタイプ3相
1個
￥2,398
税込￥2,638
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)132
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥3,998
税込￥4,398
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)94
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)98
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.3kW
1個
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)60
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)150
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.3kW
1個
￥3,298
税込￥3,628
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)61
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,798
税込￥5,278
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ185nC@10V
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,698
税込￥5,168
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費650W
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)53
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ250nC@10V
最大パワー消費1.04kW
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)75
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ74nC@10V
最大パワー消費360000mW
1個
￥799
税込￥879
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)110
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費480000mW
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
長さ(mm)38.23
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)150
最大ドレイン-ソース間電圧(V)150
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費680000mW
1個
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFET
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)70
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費300W
1個
￥3,598
税込￥3,958
5日以内出荷
UL適合E72873。MCOシリーズサイリスタモジュール、IXYS。ハイパワーサイリスタモジュール
寸法(mm)38.2×25.07×9.6
タイプサイリスタ：SCR
電圧(V)ピークオンステージ：1.3
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)80
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)1.4
定格平均オン電流(A)54
最大保持電流(mA)100
サージ電流レーティング(kA)0.8
1個
￥4,398
税込￥4,838
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)50
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)130
繰返しピークオフステート電流(mA)10
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)5.08
1個
￥9,998
税込￥10,998
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)116
繰返しピークオフステート電流(mA)5
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)2.4
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
動作温度(℃)(Max)+125
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)190
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)6.4
1個
￥11,980
税込￥13,178
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
動作温度(℃)(Max)+125
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1200
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)116
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)2.4
1個
￥5,898
税込￥6,488
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)116×60×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2
定格平均オン電流(A)320
繰返しピーク順方向抑止電圧(V)1600
最大保持電流(mA)150
サージ電流レーティング(kA)9.8
1個
￥22,980
税込￥25,278
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFET
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費568000mW
1個
￥7,898
税込￥8,688
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
高さ(mm)26.16
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)48
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500W
1個
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
UL適合E72873.基板実装用三相ブリッジ整流器、VUO52シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ重量の軽量化強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流基板実装用はんだピン
幅(mm)31.6
寸法(mm)63×31.6×17
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+130、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)1600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)375
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.46
ブリッジタイプ3相
1個
￥5,198
税込￥5,718
5日以内出荷
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)200
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
スイッチングスピード50kHz
最大パワー消費1250W
1個
￥3,500
税込￥3,850
欠品中
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)10.66×4.82×16
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)20
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費85W
1袋(2個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
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