Vishay 厚膜 抵抗器 50W 100mΩ ±5%, LTO050FR1000JTE3VISHAY5日以内出荷
抵抗 = 100mΩ定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 50mΩ ±5%, LTO030FR0500JTE3VISHAY5日以内出荷
抵抗 = 50mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±700ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 470mΩ ±5%, LTO050FR4700JTE3VISHAY5日以内出荷
抵抗 = 470mΩ定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±250ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 10mΩ ±5%, LTO030FR0100JTE3VISHAY5日以内出荷
抵抗 = 10mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 100mΩ ±5%, LTO030FR1000JTE3VISHAY5日以内出荷
抵抗 = 100mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
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