制御機器 ：「M8 55」の検索結果

抵抗 34.8kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0402 (1005M)許容差 ±1%自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

RWM6x34シリーズ8W、軸エナメル塗装巻線型電力抵抗器アキシャルリード線耐火性

抵抗 17.8kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0805 (2012M)許容差 ±1%定格電力 0.125W温度係数 ±100ppm/℃自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 2.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 150 Vパッケージタイプ SOIC実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 95 mチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 3 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V幅 4mm動作温度 Min -55 ℃mmハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.56 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3 W、3.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.78 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = PowerPAK 1212-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 3.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 48.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

静電容量 = 220nF電圧 = 310V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±10%シリーズ = F1772リード間隔 = 22.5mm抑制クラス = X2長さ = 26.3mm奥行き = 8.3mm高さ = 16.3mm寸法 = 26.3 x 8.3 x 16.3mm温度特性 = ポリエステル末端仕様 = スルーホール実装パッケージ/ケース = 12mm(EN132400) CEI384-14 iss. 2継続認定、VDE0565-1クラスX2、SEV1055 1978、DEMKO CEI384-14 1981、SEMKO CEI384-14 1981、NEMKO CEI384-14 1981、FIMKO CEI384-14 1981、UL1283 / UL1414 (最大1 μF)、CSA222 No.8-M 1986、IMQ CEI40-7/V1-1981、OVE CEI384-14 1981. X2クラス干渉防止コンデンサ、F1772-2000シリーズ310 V ac. 相間又は相とニュートラル間に取り付ける干渉抑制用メタライズドフィルムコンデンサ エポキシ樹脂封止型の難燃性ケース

静電容量 = 1μF電圧 = 310V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±10%シリーズ = F1772リード間隔 = 27.5mm長さ = 31.5mm奥行き = 15mm高さ = 25mm寸法 = 15 x 25 x 31.5mm温度特性 = ポリエステル末端仕様 = スルーホール実装リード径 = 0.8mm(EN132400) CEI384-14 iss. 2継続認定、VDE0565-1クラスX2、SEV1055 1978、DEMKO CEI384-14 1981、SEMKO CEI384-14 1981、NEMKO CEI384-14 1981、FIMKO CEI384-14 1981、UL1283 / UL1414 (最大1 μF)、CSA222 No.8-M 1986、IMQ CEI40-7/V1-1981、OVE CEI384-14 1981. X2クラス干渉防止コンデンサ、F1772-2000シリーズ310 V ac. 相間又は相とニュートラル間に取り付ける干渉抑制用メタライズドフィルムコンデンサ エポキシ樹脂封止型の難燃性ケース

静電容量 = 330nF電圧 = 310V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±10%シリーズ = F1772リード間隔 = 22.5mm長さ = 26mm奥行き = 10mm高さ = 19.5mm寸法 = 10 x 19.5 x 26mm温度特性 = ポリエステル末端仕様 = スルーホール実装動作温度 Min = -40℃(EN132400) CEI384-14 iss. 2継続認定、VDE0565-1クラスX2、SEV1055 1978、DEMKO CEI384-14 1981、SEMKO CEI384-14 1981、NEMKO CEI384-14 1981、FIMKO CEI384-14 1981、UL1283 / UL1414 (最大1 μF)、CSA222 No.8-M 1986、IMQ CEI40-7/V1-1981、OVE CEI384-14 1981. X2クラス干渉防止コンデンサ、F1772-2000シリーズ310 V ac. 相間又は相とニュートラル間に取り付ける干渉抑制用メタライズドフィルムコンデンサ エポキシ樹脂封止型の難燃性ケース

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 4.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm高さ = 1.55mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 6.8 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz