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Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 400 mA， 3 ピン パッケージSOT-89nexperia￥659税込￥725
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 49 nsNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピン パッケージSOT-23nexperia￥1,198税込￥1,318
1リール(150個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 350 mA， 3 ピン パッケージSOT-23nexperia￥1,698税込￥1,868
1袋(200個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 440 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-220ABnexperia￥1,598税込￥1,758
1袋(4個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Pチャンネル MOSFET， 50 V， 150 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)nexperia￥1,098税込￥1,208
1リール(100個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 3 A， 4 ピン パッケージSOT-223 (SC-73)nexperia￥499税込￥549
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.8 W標準ターンオフ遅延時間 = 20nSNチャンネルMOSFET、100 V以上、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB)nexperia￥569税込￥626
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.05 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 0.85V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 mW標準ターンオフ遅延時間 = 45 nsNチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 320 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)nexperia￥1,298税込￥1,428
1リール(40個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 320 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 320 mW標準ターンオン遅延時間 = 2 nsデュアルNチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
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