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PチャンネルパワーMOSFET(40V/50A) インフィニオンPチャンネルパワーMOSFET(40V/50A)インフィニオン
289税込318
1個
5日以内出荷
OptiMOS-P2シリーズ PチャンネルパワーMOSFET
その他【資格】AEC-Q101消費電力(W)58抵抗(Ω)【ドレイン-ソース間オン】0.0082ピン数(ピン)3ピン動作温度(℃)175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-252 (DPAK)実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネル耐テスト電圧(V)【Rds(on)】10最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ゲート-ソース間電圧(V)1.7
NチャンネルパワーMOSFET(150V/56A) インフィニオンNチャンネルパワーMOSFET(150V/56A)インフィニオン
569税込626
1個
5日以内出荷
OptiMOS 5シリーズ NチャンネルパワーMOSFET
その他MSL1 - 無制限消費電力(W)96抵抗(Ω)【ドレイン-ソース間オン】0.0137ピン数(ピン)8ピン動作温度(℃)150RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTDSON実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネル耐テスト電圧(V)【Rds(on)】10最大連続ドレイン電流(A)56最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ゲート-ソース間電圧(V)3.8
TLE5012B E1000 MS2GO インフィニオンTLE5012B E1000 MS2GOインフィニオン
5,898税込6,488
1個
7日以内出荷
GMRベースの磁気角度センサボードのキット TLE5012B E1000 MS2GOは、インフィニオン社のマイクロコントローラXMC1100を搭載したBootKitとTLE5012B磁気角度センサボードで構成された低価格なエントリーレベルの評価キットです。 TLE5012Bは、GMR素子によりsin/cosの角度成分を測定することによって磁場の向きを検出する360°の角度センサです。 GMR(Giant Magneto Resistive effect;巨大磁気抵抗効果)は、強磁性体の間に磁性のない層をはさむと、層方向の抵抗が外からの磁場により大きく変化する現象です。この角度センサ上で磁石を回転させると磁界の変化に合わせて抵抗値も変化します。この抵抗値の変化を検出し、角度をデジタルデータとして出力します。 データ通信は、SPI互換の双方向同期シリアル通信(SSC)で行われます。 センサの設定値はレジスタに保存されており、SSCインターフェースでアクセスできます。 TLE5012Bは、パルス幅変調(PWM)プロトコル、ショートPWMコード(SPC)プロトコル、ホールスイッチモード(HSM)、インクリメンタルインターフェース(IIF)の4つのインターフェースを利用できます。これらのインターフェースはSSCと同時に、または単独で使用できるので、事前に設定しておけばさまざまなセンサ派生品として利用可能です。
IC DRIVER HALF BRIDGE OSC 8DIP インフィニオンIC DRIVER HALF BRIDGE OSC 8DIPインフィニオン
489税込538
1個
5日以内出荷
SELF-OSCILLATING-HALF-BRIDGE-DRIVER IR2155PBFIC インフィニオン製を販売します。
種類ハーフブリッジチャンネル数2入力RC入力回路電流(mA)【ソース】250【シンク】500立ち上り/立ち下がり時間80ns / 45ns極性IGBT、NチャンネルMOSFET動作温度範囲(℃)-40~150(TJ)パッケージ8-DIP(0.300インチ、7.62mm)動作電圧(V)10~20チャンネルタイプ同期
MOSFET インフィニオンMOSFETインフィニオン
619税込681
1個
23日以内出荷
仕様●極性:N-Channel●Vdss[V]:40V●Id[A]:77A●Ron[Ohm]:9.0mΩ●Vth[V]:-●Qg[C]:-●パッケージ:TO-252-3●用途:-アズワン品番68-2037-96
SMART HI SIDE PWR SWITCH INDUSTRY APP インフィニオンSMART HI SIDE PWR SWITCH INDUSTRY APPインフィニオン
939税込1,033
1個
23日以内出荷
仕様●機能:電源スイッチIC●入力電圧範囲[V]:-●出力電圧範囲[V]:-●出力電流[A]:3.7A●パッケージ:DSO-12●機能:電源スイッチICアズワン品番68-2037-95
デジタルアンプ用ゲートドライブIC インフィニオンデジタルアンプ用ゲートドライブICインフィニオン
889税込978
1個
5日以内出荷
デジタルアンプのFETをコントロールするゲートドライバーです。アナログ入力をPWM周波数モジューレーションしてFETのGateを駆動します。過電圧、減電圧、過電流など各種プロテクションが内蔵されています。
仕様●Voffset ±100V、GateDriver Io+ 1.0A Io- 1.2A、PWM周波数:MAX800KHz●パッケージ:PDIP 16●動作電圧:10V~18VV●用途:D級オーディオアンプ●仕様1:仕様2:仕様3:仕様4:動作温度:AN-1138 アプリケーションノート(PDF/1,259KB)アズワン品番67-0442-13

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