制御機器 ：「1.8mm」の検索結果

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLP寸法 = 1.8 x 2.6 x 0.5mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

電源スイッチの種類 = USBオン抵抗 = 9Ω動作供給電圧 Max = 4.4 V出力数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLPピン数 = 16動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 1.8 x 2.6 x 0.5mmUSBパワースイッチ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 56Ω最大逆漏れ電流 = 1.8μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

ロジックタイプ = インバータ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = 4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

標準ツェナー電圧 = 1.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2最大逆漏れ電流 = 7.5μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃V

標準ツェナー電圧 = 11V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8 k x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 8kSPIシリアルEEPROM、ON Semiconductor

ピン数 = 10実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLP寸法 = 1.4 x 1.8 x 0.5mm動作温度 Min = -40 ℃USBスイッチ、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5.6mA最大ツェナーインピーダンス = 29Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

レギュレータタイプ = リニア電圧A出力電圧 = -37 → -1.2 Vラインレギュレーション = 0.04 %/Vロードレギュレーション = 1 %極性 = 負パッケージタイプ = TO-220基準電圧 = -1.25V出力タイプ = 可変寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm高さ = 9.28mm長さ = 10.28mm可変リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 0.25 mA， 8 Ω @ 20 mA最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃mA便利な表面実装プラスチック SOD-123 パッケージに収められた 3 つのツェナーダイオード完全シリーズ。これらのデバイスは、リードレス 34 パッケージスタイルの便利な代替品となります。FR-4 又は FR-5 ボードの定格 503 mW 広いツェナー逆電圧範囲： 2.4 → 110 V 最適な自動基板アセンブリ用のパッケージです 高密度用途向けの小型パッケージサイズ 汎用、中電流 機械的特性： ケース：自由に変形できる熱硬化性プラスチックケース 仕上げ：耐腐食性仕上げ、簡単にはんだ付け可能 はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性バンドで表示 鉛フリーパッケージを用意

標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

メモリサイズ = 128kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 16 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 16KμsEEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 39V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 3.2mA最大ツェナーインピーダンス = 800Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃V

メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 32kSPIシリアルEEPROM、ON Semiconductor

ダイオード構成 シングルV実装タイプ スルーホール最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 240mA最大ツェナーインピーダンス 1.5Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Max +200 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 = 25V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 10nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

メモリサイズ = 16kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 2 k x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mm自動車規格 = AEC-Q100年CAT25160 は、 2048 x 8 ビットとして内部で構成された EEPROM シリアル 16 Kb SPI デバイスです。32 バイトのページ書き込みバッファを備え、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )プロトコルをサポートしています。このデバイスは、チップ選択( CS )入力によって有効になります。さらに、必要なバス信号は、クロック入力( SCK )、データ入力( SI )、データ出力( SO )の各ラインです。HOLD 入力は、 CAT25160 デバイスとのあらゆるシリアル通信を一時停止するために使用できます。これらのデバイスは、部分的なアレイ保護と完全なアレイ保護を含む、ソフトウェアとハードウェアの書き込み保護を備えています。10 MHz SPI 互換 供給電圧範囲： 1.8 → 5.5 V SPI モード( 0 、 0 、 1 ) 32 バイトのページ書き込みバッファ 自己タイミング書き込みサイクル ハードウェアとソフトウェアの保護 ブロック書き込み保護 - 保護 1/4 、 1/2 、又はすべての EEPROM アレイ 低電力CMOS技術 プログラム / 消去回数： 1 、 000 、 000 回 データ保持期間： 100 年間 工業用及び拡張温度範囲 8 リード PDIP 、 SOIC 、 TSSOP 、及び 8 パッド TDFN 、 UDFN パッケージです 用途 自動車システム 通信システム コンピュータシステム コンシューマシステム 産業システム

標準ツェナー電圧 = 56V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 200Ω最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 47V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 170Ω最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SC-75実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.8mm

標準ツェナー電圧 = 33V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 10nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123