制御機器 ：「A65」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 30V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 40mA最大ツェナーインピーダンス = 140 Ω @ 1 mA， 8 Ω @ 40 mA最大逆漏れ電流 = 3.7μA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃A

標準ツェナー電圧 = 20V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 12.5mA最大ツェナーインピーダンス = 22Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 49mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 53mA最大ツェナーインピーダンス = 8Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 19mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 31mA最大ツェナーインピーダンス = 4.5Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 22Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 8Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 19Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 28Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 5.6V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 220mA最大ツェナーインピーダンス 1Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 4Aピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 500mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 80AON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 V

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 37.5V最小ブレークダウン電圧 = 25.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 23.1Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 16A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.56mmTVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 6Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 9.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 3 Wパッケージタイプ = SMBツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20.8mA最大ツェナーインピーダンス = 12Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.28mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 2.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 75μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 50mA最大ツェナーインピーダンス = 3Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1.5 Wパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 104.2mA最大ツェナーインピーダンス = 9Ω最大逆漏れ電流 = 35.5μA寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 6.2V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 200mA最大ツェナーインピーダンス 1Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 10V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 125mA最大ツェナーインピーダンス 2Ω最大逆漏れ電流 5μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ツェナーダイオード5 Surmetic、1N5347 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic 40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 7.5V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ ケース017AAツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 ±5%ピン数 2最大ツェナーインピーダンス 1.5Ω最大逆漏れ電流 10μA寸法 3.68 (Dia.) 8.89mm動作温度 Min -65 ℃Vツェナーダイオード5 Surmetic、1N5347 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 1N53 シリーズは、 Surmetic 40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、隙間のない転送成形の熱硬化性プラスチック製成形パッケージを備えており、最も一般的な環境条件で保護します。電圧レギュレータは厳格な制限を備え、シリコン酸化物不動態化ジャンクションの優れた機能を反映した優れた動作特性を備えています。外面は耐腐食性で、リードは簡単にはんだ付けできます. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 = 3.11V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100 Ω @ 5 mA， 1000 Ω @ 0.5 mA最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃mAこのツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD323 表面実装パッケージに収められ、消費電力が 300 mW です。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 200 mW 機械的特性： 厳密な公差 はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 用途 厳密な許容差のツェナー電圧調整

標準ツェナー電圧 = 5.73V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 200 Ω @ 1 mA， 40 Ω @ 5 mA最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm動作温度 Min = -65 ℃mAこのシリーズのツェナーダイオードは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： -2.4 → 18 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 x 0.032 ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 ( 0.7 mm ) >人体モデルごとにクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格を備えています 許容差 VZ 鉛フリーデバイス 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボード