onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:125 nC @ 20 VシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)131チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -4 A, MJE15035Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -350 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.28 x 10.28 x 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, MJE15028Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 120 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 50 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 120 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 30 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -8 A, MJE15033Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -250 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 50 W●最小DC電流ゲイン : 50●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 250 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 30 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -8 A, MJE15031Gonsemi7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -150 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 50 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 30 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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