制御機器 ：「SC6」の検索結果

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作温度 Max = +85 ℃TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

終端タイプ = USB回線終端ビット数 = 2bit標準抵抗 = 1.5 kΩ， 22 Ω最大供給電流 = 10 nA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-88ピン数 = 6寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm動作供給電圧 Max = 5.25 V動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -55 ℃TVS / EMIフィルタデバイス. 単一のSMTデバイスでEMIフィルタリング、ESD保護、及びライン終端を採用した複合型統合ソリューション

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 1mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8V最小ブレークダウン電圧 = 5.32V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 150W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1mm24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 0.22W最大ピークパルス電流 = 1AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 13動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃mm幅 = 1.7mm低静電容量ESD保護アレイ

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm標準電圧温度係数 = 6mV/Kツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 256 mWトランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 0.047mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor