エコ商品
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)650
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥499
税込￥549
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)20
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38
最小ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費33.8 W
1箱(10個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A
幅(mm)4.9
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)37
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
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