「252a-50」の検索結果

産業機械用オイルエレメントです。

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 12トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.39mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A、136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 127 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

・ピストン長円形状により省スペース化が可能。さらに多面方向からシリンダ取付が可能。 ・4方向から小型オートスイッチ取付可。 ・オートスイッチのはみ出しがない。 ・ストローク300mmまで可。 ・オートスイッチ付(MDUシリーズ：MDU、MDUW)

チャンネルタイプ P最大連続ドレイン電流 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vパッケージタイプ TO-252AA実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 28 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 -3V最低ゲートしきい値電圧 -1V最大パワー消費 113 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 6.73mm動作温度 Min -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 73.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm順方向ダイオード電圧 = 1.5VPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 25A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 1200Vサージ電流レーティング = 252Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V最大保持電流 = 60mA寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm長さ = 10.28mm幅 = 9.35mm高さ = 4.6mmピークオンステージ電圧 = 1.55VSTMicroelectronics 25 → 40 A トライアック

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 48.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

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