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「2sa1162」の検索結果
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥209税込￥230
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)￥209税込￥230
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥209税込￥230
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥2,198税込￥2,418
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
105℃品 電解コンデンサ東信工業(17件のレビュー)￥409～税込￥450～
1パック(20個)
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寿命特性105℃、2000時間を保証した高安定化アルミ電解コンデンサ
種類電解コンデンサ定格寿命(時間)2000容量許容差(%)±20動作温度範囲(℃)-40～+105
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥2,198税込￥2,418
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チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = QFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 120000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥249税込￥274
1袋(10個)
予約販売
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,528
1袋(200個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Samtec 同軸コネクタ プラグ 基板取付 1.0/2.3コネクタ， DIN7A-PP-C-GF-ST-CA3SAMTEC￥2,198税込￥2,418
1個
5日以内出荷
仕様●同軸コネクタタイプ ： 1.0/2.3コネクタ●実装タイプ ： PCBマウント●インピーダンス ： 75Ω●結線方法 ： はんだ●接続方向 ： ストレート●適合ケーブル ： RG179●サイズ ： スタンダード●表面処理：本体 ： ニッケル●コンタクト材質 ： 銅合金●表面処理：コンタクト ： 金●インピーダンス: 75 Ω DIN 1.0/2.3ケーブルコンポーネント RG 179、RG 6、Belden 1694A、又はBelden 1855Aケーブルにはストレートプッシュプルプラグを使用可能RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 整流ダイオード， 2A， 100V 表面実装， 2-Pin SOD-123FL ショットキーバリアROHM￥61,980税込￥68,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-123FL●最大連続 順方向電流 ： 2A●ピーク逆繰返し電圧 ： 100V●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ROHM 100V ショットキーバリアダイオードには●シリコンエピタキシャル平面型構造が採用されています。小型モールドタイプで●主に一般整流用途に使用されます。高い信頼性 超低IRシリコンエピタキシャルプレーナ型構造を備えた V ショットキーバリアダイオードです。小型モールドタイプで●主に一般整流用途に使用されます。RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 整流ダイオード， 3A， 60V 表面実装， 2-Pin SOD-128 ショットキーバリアROHM￥1,898税込￥2,088
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-128●最大連続 順方向電流 ： 3A●ピーク逆繰返し電圧 ： 60V●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリアRoHS指令(10物質対応)対応
