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「2sd1409a」の検索結果
Toshiba NPN ダーリントンペア， 400 V， 6 A， 3-Pin TO-220SIS
東芝￥1,998税込￥2,1981袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS
東芝￥2,498税込￥2,7481袋(5個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝￥4,198税込￥4,6181袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS
東芝￥2,898税込￥3,1881袋(5個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM LED， 赤， スルーホール実装， 5 mm (T-1 3/4)， SLI-570UT3F
ROHM￥559税込￥6151袋(5個)7日以内出荷仕様●LED色 ： 赤●パッケージタイプ ： 5 mm (T-1 3/4)●実装タイプ ： スルーホール実装●LED数 ： 1●順方向電圧 ： 1.9 V●光度 ： 3 cd●ピン数 ： 2●ビュー角 ： 25°●レンズ形状 ： 砲弾型●主波長 ： 630 nm●寸法 ： 5mmRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， DTD123YKT146
ROHM￥559税込￥6151袋(5個)翌々日出荷仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 56●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max： +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応ローム 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， -100 mA， DTA114EKAT146
ROHM￥219税込￥2411袋(5個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -100 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 10kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC014YUBTL
ROHM￥2,998税込￥3,2981袋(200個)翌々日出荷仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-323FL●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 200 mW●最小DC電流ゲイン： 68●トランジスタ構成： コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧： 50 V●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●標準抵抗比： 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM LED， 赤， スルーホール実装， 3 mm 砲弾型 (T-1)， SLR-322VC3F
ROHM￥589税込￥6481袋(10個)7日以内出荷仕様●LED色 ： 赤●パッケージタイプ ： 3 mm (T-1)●実装タイプ ： スルーホール実装●LED数 ： 1●順方向電圧 ： 2 V●光度 ： 16 mcd●ピン数 ： 2●ビュー角 ： 35°●レンズ形状 ： 長方形●主波長 ： 630 nm●寸法 ： 3.1mm●ロームスルーホールSLR-322シリーズLEDRoHS指令(10物質対応)対応
電解コンデンサ KMQシリーズ リード形
日本ケミコン(2件のレビュー)￥529～税込￥582～1袋(10個)ほか当日出荷から翌々日出荷KMGシリーズの1ランク小形化。 105℃、1000時間～2000時間保証(リプル重畳)。シリーズKMQ端子形状ロングリード構造アルミ缶許容差±20%極性ありリード線長さ(mm)15
ローム トランジスタ， NPN， 表面実装， 800 mA， 2SD1781KT146Q
ROHM￥42,980税込￥47,2781セット(3000個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 800 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 32 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 120●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ROHM ミディアムパワートランジスタは、定格電圧が 32 V です。主に低周波数アンプ及びドライバで使用されます。高電流 小型パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ， PNP， 表面実装， -800 mA， 2SB1197KT146Q
ROHM￥1,898税込￥2,0881袋(50個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -800 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -32 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 120●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ROHM 低周波数トランジスタは、定格電圧が -32 V です。主に低周波数パワーアンプで使用されます。2SD1781K を補完しますRoHS指令(10物質対応)対応
ローム ツェナーダイオード 9.1V 表面実装 200 mW
ROHM￥1,898税込￥2,0881袋(200個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成： シングルV●1チップ当たりのエレメント数： 1●最大パワー消費： 200 mW●パッケージタイプ： SOD-323F●ツェナータイプ： 電圧レギュレータ●ピン数： 2●最大ツェナーインピーダンス： 60Ω●最大逆漏れ電流： 500nA●寸法： 1.8×1.35×0.9mm●順方向電流： 5mA●ツェナーダイオード200 mW、UDZVシリーズ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
日本ケミコン アルミ電解コンデンサ 50V dc 10μF
日本ケミコン￥379税込￥4171袋(5個)当日出荷仕様静電容量 = 10μFテクノロジー = 電解電圧 = 50V dc取り付けタイプ = スルーホール寸法 = 5 (Dia.) x 11mm高さ = 11mm直径 = 5mm動作温度 Min = -40℃動作温度 Max = +85℃リードピッチ = 2mm構造 = ラジアルシリーズ = SMG寿命 = 2000h315 → 450Vdcは基板洗浄タイプではありません。. アルミ電解コンデンサ SMGシリーズ 85℃. 85℃ 2，000時間保証 静電容量許容差:±20%RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝￥869税込￥9561袋(5個)当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝(1件のレビュー)￥999税込￥1,0991個当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
