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  • Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    1,998税込2,198
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    4,498税込4,948
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio 正電圧 3端子レギュレータ, 1.5A, 5 V 固定出力, 3-Pin TO-220F 新日本無線

    New Japan Radio 正電圧 3端子レギュレータ, 1.5A, 5 V 固定出力, 3-Pin TO-220F

    新日本無線
    1,498税込1,648
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-220F出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3パワーレーティング = 1W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 50 mVNJM78xx、1.5 A電圧レギュレータ、新日本無線. 新日本無線 の NJM78xx シリーズの正リニア電圧レギュレータは固定電圧レギュレータです。 この3端子NJM78シリーズの電圧レギュレータは、電圧及び電流出力の調整を求めない限り、外部コンポーネントは必要ありません。 内部熱的過負荷保護、電流制限及び安全領域動作補償機能を統合しています。 NJRレギュレータICは、1.5 Aの出力電流を生成し、シングルポイントレギュレーションで発生する問題を解消するオンカードレギュレーションなど、幅広い用途で用いられています。. 出力電流: 1.5 A 固定電圧範囲: 5 → 20 V 内部短絡保護制限 / 内部熱的過負荷保護 良好なリップル除去率 TO252パッケージ バイポーラテクノロジー
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール

    ON SEMICONDUCTOR
    1,598税込1,758
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    2,498税込2,748
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN ダーリントンペア, 400 V, 6 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba NPN ダーリントンペア, 400 V, 6 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    1,598税込1,758
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール

    ON SEMICONDUCTOR
    329税込362
    1袋(10個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
  • Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    2,298税込2,528
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    759税込835
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • STMicroelectronics NPN パワートランジスタ, 400 V, 5 A, 3-Pin TO-220 STMicro

    STMicroelectronics NPN パワートランジスタ, 400 V, 5 A, 3-Pin TO-220

    STMicro
    1,598税込1,758
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
化成肥料141414特集
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