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「tk18a50d」の検索結果
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)￥999税込￥1,099
1個
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥4,498税込￥4,948
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFETWOLFSPEED￥2,698～税込￥2,968～
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 500 V， 18 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥579税込￥637
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 265 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W標準ターンオフ遅延時間 = 95 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 500 V， 18.5 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN ダーリントンペア， 400 V， 6 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,598税込￥1,758
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ東芝￥4,698税込￥5,168
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝(1件のレビュー)￥2,098税込￥2,308
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 600 V， 20 A， 3-Pin TO-220SIS シングル東芝￥559税込￥615
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 45 Wパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 100kHzトランジスタ構成 = シングル長さ = 10mm幅 = 4.5mm高さ = 15mm寸法 = 10 x 4.5 x 15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Panasonic コンデンサ 47μF， ，35V dc， EEUFC1V470Panasonic(パナソニック)￥219税込￥241
1袋(5個)
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仕様FCシリーズ: 1uF → 100uF. パナソニックFCシリーズタイプA電解コンデンサは、耐久が高く、低インピーダンスのソリューションです これらのアルミコンデンサは、1000～5000時間の長寿命を誇ります。. AEC-Q200認定 ラジアルリードタイプ 低ESR 小型 高い信頼性 低インピーダンス 高リプル電流. 用途. パナソニックFCタイプA電解コンデンサは、AEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 信頼性が高いこれらの電解コンデンサは、産業用機器用途に最適です。寸法(mm)6.3(Dia.)×11.2直径(Φmm)6.3高さ(mm)11.2電圧(V)35dc寿命1000h静電容量47μF漏れ電流(μA)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプラジアル、 スルーホールテクノロジーアルミ電解最大動作温度(℃)105最小動作温度(℃)-55
STMicroelectronics NPN ダーリントンペア， 100 V， 4 A， 3-Pin SOT-32STMicro￥239税込￥263
1個
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Min = -65 ℃NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
