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パワーエースは従来のVベルトの断面形状を変えることにより、伝動力、寿命などを大幅に向上した高動力伝動用Vベルトです。 各種伝動装置のコンパクト化、あらゆる分野の省力化、コスト低減に有効です。 1本当たりの伝道力が高いため、ベルト本数が著しく減少できますので、装置のスペースが従来のVベルトの約1/3に縮小できます。 特殊配合ゴムの使用により、耐油性、耐熱性、難燃性、耐老化性、耐候性など数々の優れた性能を持っています。また、静電防止性能はRMA規格に合格しています。 研究を重ねた材料と製造方法により、寸法安定性に優れています。完全なマッチドセットと相まって、均一な動力伝道を行うことができます。また、保管中の寸法変化もほとんど起こりません。

断面構造を独特の幅狭形状にすることにより、プーリへのグリップ力が大きくなるように設計されています。 拡張力も高く、柔軟で変形の少ない、高伝動能力をもったV形ベルトです。

コンパクト・高速運転・高動力伝道・長寿命が特長のパワーエースを進化させた省エネVベルトです。 損失トルクを削減して、伝動効率を向上させました。伝動能力を損なうことなく省エネ&CO2削減ができます。 プーリの変更が不要です。ベルトを掛け換えるだけでご使用いただけます。 ベルト曲げ剛性低減と自己発熱の抑制が実現しました。安定した寿命特性はパワーエース以上です。 長寿命です。

一般ベルトに比べて上幅が狭く、高さが高い特殊な断面形をしています。 原材料、製造方法によりベルト走行時に抗張体に均一な応力を与え、伝動効率を高めるベルトです。

マックスターマルチウエッジベルトは、マックスターウエッジベルトの上部をタイバンドで結合したものです。ベルトの断面形状はマックスターウエッジベルトと同様です。 原動機あるいは被動機側の負荷変動が周期的におきるような場合でも、ベルト長さが均一なので、安定した運転ができます。 ベルトが横転したりプーリーからはずれることがありません。 タイバンドでつながっているので、長い軸間距離が必要な場合でも振動が少なく安定した運転ができます。 垂直運転にも最適。

・マックスターマルチウェッジベルトは、マックスターウェッジベルトの上部をタイバンドで結合したものです。ベルトの断面形状はマックスターウェッジベルトと同様です。・原動機あるいは被動機側の負荷変動が周期的におきるような場合でも、ベルト長さが均一なので、安定した運転ができます。・ベルトが横転したりプーリーからはずれることがありません。・タイバンドでつながっているので、長い軸間距離が必要な場合でも振動が少なく安定した運転ができます。・垂直運転にも最適。

多種類の原材料を、長年の蓄積した情報と品質工学などを使い、適切な割合で配合し、車種・用途・市場状況などの要求に合わせ、効き・寿命・鳴き・振動・相手材の攻撃性等の性能を追求した摩擦材の開発を行っています。また、摩擦材に使用する原材料は、ELV、REACHなどの環境規制に対応した、環境負荷の少ないものを選定しています。

伝達効率97%、S=C PLUS仕様で、同じ規格サイズであればどのベルトを選択してもセット可能です。

Murata の最新 Advanced 技術を使用して、小型で大容量の価値を評価積層構造で、大容量かつ小型 外部電極にスズ( Sn )めっきが施されています 優れたはんだ付け性 高信頼性、極性なし 用途 定格電圧： 100 V (最大 高誘電率タイプ・・・・デカップリング・平滑化回路用 温度補償タイプ・・・チューニング回路、発振回路、高周波フィルタ回路用 定格電圧

外径Φ50mm/奥行き35mmの薄形設計。 使用環境に応じて選べる保護構造。 耐塵・防噴流形(IP65)はアルミダイカストケース。 幅広い分解能(1～2500P/R)。 堅牢なΦ8mmステンレスシャフトを採用。 DC4.75～30Vと広い電源電圧範囲。 原点調整に便利なサーボマウント取付が可能。

外径Φ50mm/奥行き49.5mmの薄形設計。 。使用環境に応じて選べる保護構造。耐塵・防噴流形(IP65)はアルミダイカストケース。 。幅広い分解能(1～2500P/R)。 。堅牢なΦ8mmステンレスシャフトを採用。 。DC4.75～30Vと広い電源電圧範囲。 。原点調整に便利なサーボマウント取付が可能。

外径Φ50mm/奥行き35mmの薄形設計。 使用環境に応じて選べる保護構造。耐塵・防噴流形(IP65)はアルミダイカストケース。 幅広い分解能(1～2500P/R)。 堅牢なΦ8mmステンレスシャフトを採用。 DC4.75～30Vと広い電源電圧範囲。 原点調整に便利なサーボマウント取付が可能。

。マグネットで金属壁面にも取り付け可能です。雨中でも安心の屋外用防雨型です。点灯は内蔵バッテリーとAC電源の両方で行えます。衝撃を吸収するプロテクターでライト全周を保護します。

オービタル機構付きで、ツーバイ材もラクラク切断可能。ブレードはワンタッチで交換できます。切断角度調節も容易にできます。※バッテリー、充電器は別売です。

USB2.0フルスピード仕様に準拠 ISO/DIS11898仕様に準拠したCAN2.0AとCAN2.0Bプロトコルをサポート CANバスの通信ボーレートは、5kbps～1Mbpsの間で任意に設定可能 USBバス電源または外部電源(DC+9V～+25V、200mA)で駆動 CANバスインターフェースには、絶縁モジュールを採用(絶縁電圧：DC2500V) Windows XP/7/8/10とLinuxをサポート ZCANProテストソフトウェアをサポート、CANバスメッセージの送受信やモニタリングなどの機能を実行可能 コンパクトサイズ、プラグアンドプレイ [応用例] CANバスネットワークの診断とテスト カーエレクトロニクス用途 電力通信ネットワーク 産業用制御機器 高速、大量データ通信

エコモード搭載で長時間運転時も安心。デジタル制御の新世代真空ポンプ!!。セット内容…本体+ケース(TA150GS)。ローター方式…ツーステージ。ドライブ方式…ダイレクト式排気量227L/min(8.0CFM)。到達真空度…2.0Pa(15ミクロン)。モーター回転数…2500r.p.m(エコ運転時1500r.p.m)。電源、モーター…100V(50Hz/60Hz)、550W。オイル封入量…約500mL。吸入ポート…1/4″、5/16″、3/8″(3ポート)。サイズ/質量…305(H)×350(D)×135(W)mm/11.5kg。付属品…専用オイル500mL

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 13.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

乗れるスーツケース!スイッチを押すとハンドルが自動的に展開・収納。大人が乗っても耐えられるアルミニウム合金を使用した設計。耐荷重110kgで安心して乗れます。容量20L、1-2日泊旅行に最適なサイズで嬉しい機内持ち込み可能サイズ!。最高時速13km/h、ハンドルで行きたい方向にスイスイ移動が可能です。PSE取得済み着脱式バッテリーで航空会社の持ち込み規則にのっとった取り外しが可能なリチウムイオンバッテリー搭載。スマートフォンなどの電子機器への充電も可能です。

フォトカプラ、バッファロジック出力(トーテムポール)、東芝。ロジック駆動のプッシュプル出力(「トーテムポール」)を備えた東芝フォトカプラ製品です。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 5 Vmm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +30 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 34 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理