「ab-3n」の検索結果
関連キーワード
結束バンドを使用せず、ビスで確実・強固な固定が、素早く簡単に行えます。パネルシャーシに固定して導電性インシュロックタイと同様、ESD対策、静電気の帯電防止に効果的です。
結束径(Φmm)4.5
仕様運用ビス：M4
1袋
￥5,990
税込￥6,589
12日以内出荷
動画あり
ビス止めのため、確実・強固な固定が可能。
材質66ナイロン
使用温度範囲(℃)-40～+85
難燃性UL94V-2
こんなお得な商品も！
ベアリングプーラー 強力型
モノタロウ
￥2,398～
税込￥2,638～
電源工具、家電品、自動車などに取付けられている小径ベアリングの引抜き作業に最適。
仕様早締め用スピードノブ付
材質66ナイロン
幅(mm)9.5
色白
使用温度範囲(℃)-40～+105
グレード【UL難燃(主原料)】UL94V-0
特性難燃
インシュロック 固定アクセサリ ビス止めタイプ 導電性クリップ
色黒
材質ポリプロピレン(導電性)
仕様ハロゲンフリー、屋内使用
幅(mm)9.5
使用温度範囲(℃)-40～+85
固定時の内径(Φmm)定時の内径Φ4.5mm
適合ビスM4
1袋(100個)
￥4,398
税込￥4,838
3日以内出荷
耐熱、耐薬品性に優れたクリップ。
色乳白
材質ポリふっ化ビリニデン(PVDF)
使用温度範囲(℃)-50～+150
寸法A(mm)4.8
寸法B(mm)9.5
寸法C(mm)4.8
寸法D1(Φmm)4.3
寸法T(mm)1.1
難燃性UL94V-0
適合ビスM4
材質ふっ素樹脂(ETFE)
幅(mm)9.5
色乳白
使用温度範囲(℃)-80～+170
グレード【UL難燃(主原料)】UL94V-0
特性耐熱・耐薬品・難燃
動画あり
材質変性66ナイロン・鉄系成分
幅(mm)9.5
色青
使用温度範囲(℃)-40～+85
低圧仕様に対応。コンパクト、軽量。豊富な口径ラインアップ。工場にてクラッキング圧力をセットし出荷。
材質(本体)ブラス
タイプ低圧大気開放型
ポート数2
ねじの種類R
耐圧(MPa)1.62
使用流体気体/液体
バリアパウチを中に入れて使用することにより、感染性物質(UN3373)の輸送用外装容器として使用できます。
ショルダーベルト付きで立ったまま11インチまでのタブレットPCを操作できるケースです。ケース全面に衝撃吸収素材を使用し、外部からの衝撃からタブレットを守ります。防滴・防塵タイプで水周りやホコリの立ちやすい屋外での使用に最適です。カメラ窓付きで、ケースに入れたままカメラ機能を使用できます。(機種によっては対応できない場合もあります)。ベルトを付け替えることで、縦・横どちらでもタブレットPCを操作できます。背面にはハンドベルト付きで片手で操作可能です。機器の管理に便利な、名刺ポケット付きです。角落ちにも強い角補強パーツ付きです。ペンホルダー付きです。
材質PU(ポリウレタン)、PVC(ポリ塩化ビニル)、低反発ウレタン
寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)230×28×325
対応機種11型までのタブレットPC
収納寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)最大190×12×255
ベルト長さ(cm)最長139、最短86(フックの先端から)
1個
￥5,998
税込￥6,598
当日出荷
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
止め金に高負荷がかかる扉に使用しても従来品よりスムーズに開閉できます。
材質冷間圧延鋼板(SPCC)
表面仕上げ亜鉛めっきクロメート処理(MFZn-C)
エコ商品
テレビ用外付けハードディスクでの録画時のエラーや再生視聴中のコマ落ちなどを低減する3重シールドの安心設計! 最大6チャンネル同時録画にも対応したUSB3.0ケーブル! 信頼性の高いUSB3.0正規認証品!
USB3.0(Standard-A)端子をもつ外付け用ハードディスク録画対応テレビと、USB3.0(Standard-B)端子を持つ外付けハードディスクドライブなどの機器を接続できるUSB3.0ケーブルです。
USB3.0の規格である「Certified SuperSpeed USB(USB3.0)」の正規認証品です。
USB2.0ケーブルの10倍以上の最大5Gbpsの転送速度で、外付けハードディスクへの多チャンネル録画に必須となる大容量データ転送に最適です。
録画時のエラーや再生視聴中のコマ落ちなどを低減する外部ノイズに強い3重シールドケーブルを採用しています。
最大6チャンネル同時録画にも対応したUSB3.0ケーブルです。
サビなどに強く、経年劣化や信号劣化を低減する金メッキピンコネクタを採用しています。
EUの「RoHS指令(電気・電子機器に対する特定有害物質の使用制限)」に準拠(10物質)した、環境にやさしい製品です。
色ブラック
規格USB3.0規格正規認証品
コネクタ形状USB3.0(Standard-A)オス-USB3.0(Standard-B)オス
対応機種USB3.0(Aタイプ)端子搭載の外付けハードディスク録画対応テレビ及びUSB3.0(Bタイプ)端子搭載の外付けハードディスクドライブ等
ケーブルツイストペアケーブル(通信線)
シールド3重シールド
メッキ(プラグメッキ)金メッキピン・金メッキコネクタ
RoHS指令(10物質対応)対応
ケーブル太さ(mm)4.8
転送速度(Gbps)最大5(理論値)
CADデータあり
CADデータあり
。メタルコンテントタイMCTXRタイプと同じ材料で成形された、配線固定用クリップです。結束バンドを使用せず、素早く簡単に配線を固定することができ、部品点数の削減に貢献します。
CADデータあり
作動方式パイロット式
弁構造パイロット式ポペット構造 ダイアフラム駆動
CADデータあり
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
産業機械用フューエルエレメントです。
用途梱包、パレット、一般木材
材質軟鋼線材
形状スムース
表面処理セメントコート
連結方式ワイヤー
胴部形状スムース
RoHS指令(10物質対応)対応
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 83A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 72 nC @ 10 V高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥689
税込￥758
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥499
税込￥549
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 150 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥6,498
税込￥7,148
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = LogicFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 140 nC @ 4.5 V高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥389
税込￥428
5日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.1 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥569
税込￥626
5日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥12,980
税込￥14,278
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥579
税込￥637
欠品中
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Si動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,398
税込￥3,738
5日以内出荷
関連キーワード
1
2
3
4
5
6
7
次へ
