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動画あり
ビス止めのため、確実・強固な固定が可能。
材質66ナイロン
使用温度範囲(℃)-40～+85
難燃性UL94V-2
こんなお得な商品も！
ベアリングプーラー 強力型
モノタロウ
￥2,498～
税込￥2,748～
電源工具、家電品、自動車などに取付けられている小径ベアリングの引抜き作業に最適。
仕様早締め用スピードノブ付
低圧仕様に対応。コンパクト、軽量。豊富な口径ラインアップ。工場にてクラッキング圧力をセットし出荷。
材質(本体)ブラス
タイプ低圧大気開放型
ポート数2
ねじの種類R
耐圧(MPa)1.62
使用流体気体/液体
バリアパウチを中に入れて使用することにより、感染性物質(UN3373)の輸送用外装容器として使用できます。
材質66ナイロン
幅(mm)9.5
色白
使用温度範囲(℃)-40～+105
グレード【UL難燃(主原料)】UL94V-0
特性難燃
ショルダーベルト付きで立ったまま11インチまでのタブレットPCを操作できるケースです。ケース全面に衝撃吸収素材を使用し、外部からの衝撃からタブレットを守ります。防滴・防塵タイプで水周りやホコリの立ちやすい屋外での使用に最適です。カメラ窓付きで、ケースに入れたままカメラ機能を使用できます。(機種によっては対応できない場合もあります)。ベルトを付け替えることで、縦・横どちらでもタブレットPCを操作できます。背面にはハンドベルト付きで片手で操作可能です。機器の管理に便利な、名刺ポケット付きです。角落ちにも強い角補強パーツ付きです。ペンホルダー付きです。
材質PU(ポリウレタン)、PVC(ポリ塩化ビニル)、低反発ウレタン
寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)230×28×325
対応機種11型までのタブレットPC
収納寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)最大190×12×255
ベルト長さ(cm)最長139、最短86(フックの先端から)
1個
￥5,998
税込￥6,598
当日出荷
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
材質ふっ素樹脂(ETFE)
幅(mm)9.5
色乳白
使用温度範囲(℃)-80～+170
グレード【UL難燃(主原料)】UL94V-0
特性耐熱・耐薬品・難燃
CADデータあり
インシュロック 固定アクセサリ ビス止めタイプ 導電性クリップ
色黒
材質ポリプロピレン(導電性)
仕様ハロゲンフリー、屋内使用
幅(mm)9.5
使用温度範囲(℃)-40～+85
固定時の内径(Φmm)定時の内径Φ4.5mm
適合ビスM4
1袋(100個)
￥4,398
税込￥4,838
6日以内出荷
CADデータあり
作動方式パイロット式
弁構造パイロット式ポペット構造 ダイアフラム駆動
動画あり
材質変性66ナイロン・鉄系成分
幅(mm)9.5
色青
使用温度範囲(℃)-40～+85
CADデータあり
止め金に高負荷がかかる扉に使用しても従来品よりスムーズに開閉できます。
材質冷間圧延鋼板(SPCC)
表面仕上げ亜鉛めっきクロメート処理(MFZn-C)
テレビ用外付けハードディスクでの録画時のエラーや再生視聴中のコマ落ちなどを低減する3重シールドの安心設計! 最大6チャンネル同時録画にも対応したUSB3.0ケーブル! 信頼性の高いUSB3.0正規認証品!
USB3.0(Standard-A)端子をもつ外付け用ハードディスク録画対応テレビと、USB3.0(Standard-B)端子を持つ外付けハードディスクドライブなどの機器を接続できるUSB3.0ケーブルです。
USB3.0の規格である「Certified SuperSpeed USB(USB3.0)」の正規認証品です。
USB2.0ケーブルの10倍以上の最大5Gbpsの転送速度で、外付けハードディスクへの多チャンネル録画に必須となる大容量データ転送に最適です。
録画時のエラーや再生視聴中のコマ落ちなどを低減する外部ノイズに強い3重シールドケーブルを採用しています。
最大6チャンネル同時録画にも対応したUSB3.0ケーブルです。
サビなどに強く、経年劣化や信号劣化を低減する金メッキピンコネクタを採用しています。
EUの「RoHS指令(電気・電子機器に対する特定有害物質の使用制限)」に準拠(10物質)した、環境にやさしい製品です。
仕様【ツイストペアケーブル(通信線)】○
色ブラック
規格USB3.0規格正規認証品
コネクタ形状USB3.0(Standard-A)オス-USB3.0(Standard-B)オス
対応機種USB3.0(Aタイプ)端子搭載の外付けハードディスク録画対応テレビ及びUSB3.0(Bタイプ)端子搭載の外付けハードディスクドライブ等
プラグ金メッキピン・金メッキコネクタ
シールド3重シールド
ケーブル径(Φmm)4.8
対応転送速度(Mbps)最大5000※理論値
結束バンドを使用せず、ビスで確実・強固な固定が、素早く簡単に行えます。パネルシャーシに固定して導電性インシュロックタイと同様、ESD対策、静電気の帯電防止に効果的です。
結束径(Φmm)4.5
仕様運用ビス：M4
1袋
￥5,990
税込￥6,589
12日以内出荷
CADデータあり
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
CADデータあり
作動方式パイロットキック式
ポート数2
産業機械用フューエルエレメントです。
RoHS
用途梱包、パレット、一般木材
材質軟鋼線材
形状スムース
表面処理セメントコート
連結方式ワイヤー
胴部形状スムース
RoHS指令(10物質対応)対応
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥929
税込￥1,022
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥589
税込￥648
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,398
税込￥1,538
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥469
税込￥516
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,798
税込￥3,078
翌々日出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥639
税込￥703
翌々日出荷
用途梱包、パレット、一般木材
材質軟鋼線材
形状スクリュー
表面処理セメントコート
連結方式ワイヤー
胴部形状スクリュー
RoHS指令(10物質対応)対応
CADデータあり
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,298
税込￥1,428
欠品中
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 83A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 72 nC @ 10 V高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥289
税込￥318
5日以内出荷
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