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「c608p」の検索結果
押し型トグルクランプ
イマオコーポレーション￥4,498税込￥4,9481個当日出荷から3日以内出荷材質(本体)SPCC材質(グリップ)ポリ塩化ビニル材質(ベース)SCM440材質(ボルト)SUM41材質(ナット)SUM41材質(シャフト)S45C材質(パッド)クロロプレンゴム(CR)
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi￥559税込￥6151箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)43最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W
KEMET 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 68pF 50V dc 0603 (1608M) C0603C680J5GACTU
KEMET￥259税込￥2851袋(50個)翌々日出荷Kemet 0603 C0G及びX5R誘電体. X5R誘電体シリーズは、85 ℃の最大操作温度に基づく「準安定」性を発揮します。 時間と電圧に対するX5Rの静電容量の変動は予測可能です。また、周囲温度に対する静電容量の変動は最小限に抑えられます。 静電容量の変動は-55 ℃ → +85 ℃の範囲で±15 %に制限 用途: 静電容量のQ特性及び安定性が重要出ない場合の周波数弁別回路用のバイパスとデカップリング. C0G誘電体は最大温度125 ℃で安定に動作 静電容量は電圧と時間の変化による影響を受けない これらの温度は温度補償が適用されるので、共振回路の用途に最適です。静電容量のQ特性と安定性が要求される場合、静電容量の変動は-55 ℃ → +125 ℃の範囲で±30 ppm/oCに制限されます。仕様静電容量 = 68pF電圧 = 50V dcパッケージ/ケース = 0603 (1608M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±5%寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mmシリーズ = C動作温度 Max = +125℃RoHS指令(10物質対応)対応KEMET 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 6.8pF 50V dc 0603 (1608M) C0603C689C5GACTU
KEMET￥1,198税込￥1,3181袋(50個)翌々日出荷Kemet 0603 C0G及びX5R誘電体. X5R誘電体シリーズは、85 ℃の最大操作温度に基づく「準安定」性を発揮します。 時間と電圧に対するX5Rの静電容量の変動は予測可能です。また、周囲温度に対する静電容量の変動は最小限に抑えられます。 静電容量の変動は-55 ℃ → +85 ℃の範囲で±15 %に制限 用途: 静電容量のQ特性及び安定性が重要出ない場合の周波数弁別回路用のバイパスとデカップリング. C0G誘電体は最大温度125 ℃で安定に動作 静電容量は電圧と時間の変化による影響を受けない これらの温度は温度補償が適用されるので、共振回路の用途に最適です。静電容量のQ特性と安定性が要求される場合、静電容量の変動は-55 ℃ → +125 ℃の範囲で±30 ppm/oCに制限されます。仕様静電容量 = 6.8pF電圧 = 50V dcパッケージ/ケース = 0603 (1608M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±0.25pF寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mmシリーズ = C動作温度 Max = +125℃RoHS指令(10物質対応)対応
