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滑り止め蓄光グリップ付 暗い場所でも視認できる。蓄光グリップの発光で、暗い場所での置忘れ防止に。(蓄光について：しばらく明るい場所に置いておくと、光を蓄えて暗い場所で発光します)。伸長時長さ：3m。M5ネジの先端金具取替可能 汎用性UP。メーカーフィッシャー用先端金具、みるサーチミニも取付可能。軽索引用

フラットバー(平鋼)端部の保護にご使用いただけます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 33.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

ダイスの振れ精度を向上させたPFおねじ加工用のソリッドダイスです。

接触による人のけがや製品・設備の破損を防止します。

微小径穴加工用のガイド穴専用ドリルで穴位置・穴径精度の厳しい加工に最適です。

先端120°微小径穴加工用のガイド穴専用ドリルです。 穴位置・穴径精度の厳しい加工に最適です。 刃径公差(Φ0.02)-0.006/-0.008 (Φ0.03～Φ0.09)-0.005/-0.01 (≧Φ0.1)-0.01/-0.015

フラットバー(平鋼)端部の保護にご使用いただけます。

固形物を移送することを目的に設計された強力サンドポンプです。 インペラー下部に取りつけた撹拌羽根により沈殿物を強制攪拌し、連続高濃度で吸い揚げを行います。 同時に従来のポンプで多かったストレーナーの目詰まりによる揚水不能を防止すること成功しました。 また摩耗する部分には耐久性の高い材質を採用しており、長寿命が見込めます。さらに余裕のあるモーター設計のため過酷な運転も可能です。 これら特徴により「固形物が送泥出来ない」などのお悩みを解決することが出来るポンプとなります。

先端120°微小径穴加工用のガイド穴専用ドリルです。 穴位置・穴径精度の厳しい加工に最適です。 TiAlNコーティングにより耐摩耗性が向上・長寿命を実現します。 刃径公差(Φ0.02)-0.003/-0.006 (Φ0.03～Φ0.09)-0.002/-0.009 (Φ0.1～Φ0.29)-0.007/-0.014 (Φ0.3～Φ3)-0.005/-0.013

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 22 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 26 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.9mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

微小径穴加工用のガイド穴専用ドリルで、TiAlNコーティングにより耐摩耗性が向上、長寿命加工を実現します。

ツールバッグ、ツールボックスに収納可能なスリムボディ 伸縮部は丈夫で錆に強いステンレス製 天井裏でのケーブルの押し引き 3m先のケーブルを片手で牽引 軽量牽引用 押し引きできる先端金具S字フック(DPF-F)付属