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盤内取り付け容易で劣化時も安心機能付き。 自動切り離し装置内蔵。SPD機能表示付き。 劣化接点出力対応(Sタイプのみ)。 応答性に優れ、無続流。 取り付けは3パターン。 1台で線間・対地間を保護。 RoHS規制物質対応。 国土交通省 NETIS 登録品 国土交通省 公共建築工事標準仕様書 適合品 国土交通省 建築設備設計基準 適合品 クラスⅡ(JIS C 5381-11)対応

盤内取り付け容易。劣化時も安心。 応答性に優れ、無続流。感電防止端子カバー付き。 1台で線間・対地間を保護。

各種電源用SPDと組み合わせて使用し、短絡電流を遮断RoHS規制物質対応

効率化・コンパクト化。 プラグインタイプ。劣化時も安心。 応答性に優れ、無続流。

欠陥は、白い現像塗膜に鮮明な赤色で拡大表示されます。 操作は簡単で迅速検査に適しています。 欠陥検出感度が高く、信頼性に優れています。

各種電源用SPDと組み合わせて使用し、短絡電流を遮断RoHS規制物質対応

拡散範囲及び到達距離の調整が自在。 気流方向可変。 吸込口としても使用可能。 有効開口率80%

大きな保護能力。インパルス電流Iimp25kA、直撃雷による被害から施設、設備を保護します。 電圧防護レベルは1300V以下(LD-C22EFS) 応答性に優れ、無続流。応答速度：3nsec以下 接地電極間の連接に使用可能 SPD機能表示付き

メディアとなる繊維素材を、熱融着法により三次元的に一体化した、デプスタイプのカートリッジフィルターです。 メディアからの溶出物を極限まで取り除き、クリーン度において、きわめて高いパフォーマンスを発揮することができます。

拡散範囲及び到達距離の調整が自在。 気流方向可変。 吸込口としても使用可能。 有効開口率80%

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.6 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。