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onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥2,198税込￥2,418
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チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = QFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 120000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥2,198税込￥2,418
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)￥2,198税込￥2,418
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
