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G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498～税込￥1,648～1個ほか31日以内出荷から81日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498～税込￥1,648～1個61日以内出荷から81日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)￥1,598税込￥1,7581個61日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4品番負荷電圧_ 20V， 連続負荷電流_ 450mA (G3VM-21QR1)電流(A)【パルスオン(出力側)】1.35 (t=100ms、Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【ピークAC/DC(出力側)】450保管温度(℃)-40~+125電流低減率(mA/℃)【出力側】(オン)-4.5 (Ta≧25℃)、【直流順(入力側)】-0.235 (Ta≧25℃)最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6最大負荷電圧(V)【AC/DC_出力側】20接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-41UR□ / 51UR
omron(オムロン)￥1,198～税込￥1,318～1個ほか81日以内出荷負荷電圧 40V/50V。形G3VM-41UR12：低C×R=4.5pF・Ω、COFF(標準)=0.3pF、RON(標準)=15Ω。形G3VM-41UR10：低C×R=5.4pF・Ω、COFF(標準)=0.45pF、RON(標準)=12Ω。形G3VM-41UR11：低C×R=4.9pF・Ω、COFF(標準)=0.7pF、RON(標準)=7Ω。形G3VM-41UR4：低C×R=10pF・Ω、COFF(標準)=5pF、RON(標準)=2Ω。形G3VM-51UR：低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。負荷電圧 40V/50V。形G3VM-41UR12：低C×R=4.5pF・Ω、COFF(標準)=0.3pF、RON(標準)=15Ω。形G3VM-41UR10：低C×R=5.4pF・Ω、COFF(標準)=0.45pF、RON(標準)=12Ω。形G3VM-41UR11：低C×R=4.9pF・Ω、COFF(標準)=0.7pF、RON(標準)=7Ω。形G3VM-41UR4：低C×R=10pF・Ω、COFF(標準)=5pF、RON(標準)=2Ω。形G3VM-51UR：低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)その他【ベースモデルコード】負荷電圧: 40V / 連続負荷電流:250mA電圧【LED順(VF)_~】1.4 V (IF=10mA)、【LED順(VF)_最小】1.1 V (IF=10mA)、【LED順(VF)_標準】1.27 V (IF=10mA)耐電圧【入出力間】500 Vrms (AC1分間)使用温度(℃)【はんだ付け】260 (10s)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】108(VI-O=500VDC、ROH≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110(氷結・結露のないこと)電流(mA)【パルスオン】750(t=100ms、Duty=1/10)、【LED順(IF)】30連続負荷電流(mA)【ピークAC/DC_Io】250 mA保管温度(℃)-40~+125(氷結・結露のないこと)電流低減率(mA/℃)(オン)-2.5(Ta≧25℃)、【直流順】-0.3 (Ta≧25℃)容量(pF)【端子間】30(V=0V、f=1MHz)最大逆電圧(V)【LED】5最大負荷電圧(V)【AC/DC_VOFF】40接合部温度(℃)125逆電流(μA)10(VR=5V)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498税込￥1,6481個81日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)￥1,798税込￥1,9781個81日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)形状S-VSON(L)4品番負荷電圧_ 20V， 連続負荷電流_ 450mA (G3VM-21QR1)電流(A)【パルスオン(出力側)】1.35 (t=100ms、Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【最大】450mA、【ピークAC/DC(出力側)】450mA保管温度(℃)-40~+125電流低減率(mA/℃)【出力側】(オン)-4.5 (Ta≧25℃)、【直流順(入力側)】-0.235 (Ta≧25℃)最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6最大負荷電圧(V)【AC/DC_出力側】20接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
